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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2536次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| SM8S20CA | TVS 20V截止 204A峰值脉冲 |
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| SM8S33A | TVS 33V截止 124A峰值脉冲 |
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| SM8S24A | TVS 24V截止 170A峰值脉冲 |
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| RS1M (SMT业务专用) | RS1M 停产 SMT业务专用 |
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| MMBT3904-E | 该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。 |
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| SS28B | 肖特基二极管 80V 2A SMB(DO-214AA) |
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| MBRD10200T | 电压:200V 电流:10A |
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| S3A | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.15V@3A;反向电流(Ir):10uA@50V; |
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| MB6S | 桥式整流器/整流桥 600V 30A MBS 晶圆50mil(标准版) |
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| BZT52C4V7S-W7 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.7V;稳压值(范围):4.4V~5V;精度:-;功率:200mW; |
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| BZT52C9V1S-WE | 稳压值(标称值):9.1V;精度:±5%;功率:200mW; |
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| BZT52C13S-WI | 稳压值(标称值):13V;精度:±5%;功率:200mW; |
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| US2D | 快/超快恢复二极管 电压:200V 电流:2A SMA(DO-214AC) |
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| US3GC | 工作温度:-50℃~+150℃(Tj);平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.4V @ 3A;反向电流(Ir):5uA @ 400V;二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;反向恢复时间(trr):50ns; |
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| US2B |
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| UMB10S |
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| UABS10 |
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| TTR5MF | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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| TTR4MF |
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| TT6MF | 普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流 |
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| TT4MF |
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| ST56C | ST56C |
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| ST56BF | ST56BF |
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| ST54C | 直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):430mV@5A; |
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| ST54B | 直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):430mV@5A; |
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| ST510BF | 直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):600mV@5A; |
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| ST510B | ST510B |
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| ST36BF | 直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):500mV@3A; |
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| ST36B | ST36B |
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|
| ST36 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):500mV@3A;反向电流(Ir):30uA@60V; |
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