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标签 > mdd
MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| DSK24 | 肖特基二极管 VR=40V IF=2A VF=0.55V IR=500uA |
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| DSK22 | 肖特基二极管 VR=20V IF=2A VF=0.55V IR=500uA |
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| DSK210 | 肖特基二极管 VR=100V IF=2A VF=0.85V IR=500uA |
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| DSK16 | 肖特基二极管 VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=500uA |
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| DSK14 | 肖特基二极管 VR=40V IF=1A VF=0.55V IR=500uA |
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| DSK12 | 肖特基二极管 VR=20V IF=1A VF=0.55V IR=500uA |
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| DSK110 | 肖特基二极管 VR=100V IF=1A VF=0.85V IR=500uA |
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| B16WS | 肖特基二极管 VR=60V IF=1A VF=0.70V IR=1000uA |
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| B5819WS | 肖特基二极管 VR=40V IF=1A VF=0.6V IR=1000uA |
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| B340A-SMA | VR=40V IF=3A 500pF |
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| 1N5822 | 肖特基二极管 40V 3A DO-27(DO-201AD) |
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| 1N5819 | 肖特基二极管 VR=40V IF=1A VF=0.60V IR=500uA |
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| SS8550-Y2 | PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=120~400 P=300mW |
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| S9014-J6 | 晶体管(NPN) |
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| MMBT3906-2A | PNP Ic=-200mA Vceo=-40V hfe=100~300 P=200mW |
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| MMBT3904-1AM | 通用三极管 NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=200mW |
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| UM10B | Vr=1000V VF=1.1@500mA |
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| TB8S | 桥式整流器/整流桥 VRM=800V,Io=1.0A,IFSM=30A,VF=0.95V, |
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| TB6S | Vr=600V IF=800mA VF=950mV@400mA |
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| TB10S | Vr=1000V IF=800mA VF=950mV@400mA |
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| MSB40M | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=4.0A,VF=1.1V,IR=5uA |
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| MSB30M | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=3.0A,VF=1.1V,IR=5uA |
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| MB6S 50MIL | Vr=600V IF=500mA VF=1V@500mA |
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| MB6S 46MIL | Vr=600V IF=500mA VF=1V@400mA |
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| MB6M | Vr=600V IF=500mA VF=1V@400mA |
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| MB6F 50MIL | Vr=600V VF=1.1@1.2A |
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| MB6F 46MIL | Vr=600V IF=500mA VF=1V@400mA |
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| MB2S |
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| MB10S 50MIL | Vr=1000V VF=1V@400mA |
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| MB10S 46MIL | Vr=1000V IF=500mA VF=1V@400mA |
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