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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| SMCJ24CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=24V,VBR=26.7~29.5V,VC=38.9V |
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| SMCJ24A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=24V,VBR=26.7~29.5V,VC=38.9V |
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| SMCJ18CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=18V,VBR=20.0~22.1V,VC=29.2V |
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| SMCJ16CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=16V,VBR=17.8~19.7V,VC=26.0V |
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| SMCJ16A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=16V,VBR=17.8~19.7V,VC=26.0V |
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| SMCJ12A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W,VRM=12V,VBR=13.3~14.7V,VC=19.9V |
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| SS14 SMA(DO214AC) | VR=40V IF=1A 110pF |
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| SS54F | 肖特基二极管 VR=40V IF=5A VF=0.55V IR=500uA |
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| SS16 | 肖特基二极管 电压:60V 电流:1A SMA(DO-214AC) |
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| B5819W | 肖特基二极管 VR=40V IF=1A VF=0.6V IR=1000uA |
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| US1G | VR=400V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS |
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| M7 | 整流二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA |
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| SS14 | VR=40V IF=1A VF=0.55V IR=500uA |
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| 1N4007WS | 整流二极管 1KV 1A SOD-323 |
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| BZT52C13S | PD=200mW,VF=0.9V,VZ=13V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 |
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| SK1010-SMC | 表面安装肖特基阻挡整流器反向电压-20至100伏特正向电流-10.0安培 |
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| SS32 | 肖特基二极管 电压:20V 电流:3A SMA(DO-214AC) |
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| SMF60A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=60V,VBR=66.7~73.7V,VC=96.8V |
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| SMF12CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=12V,VBR=13.3~14.7V,VC=19.9V |
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| SMF5.0A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=5V,VBR=6.4~7V,VC=9.2V |
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| SMF9.0A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=9V,VBR=10~11.1V,VC=15.4V |
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| SMF7.5CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=7.5V,VBR=8.33~9.21V,VC=12.9V |
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| SMF7.5A | TVS二极管 7.5V IPPM=15.5A 200W 功耗1W 单向 |
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| SMF7.0CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=7V,VBR=7.78~8.60V,VC=12V |
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| SMF7.0A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=7V,VBR=7.78~8.60V,VC=12V |
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| SMF6.5CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=6.5V,VBR=7.22~7.98V,VC=11.2V |
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| SMF6.5A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=6.5V,VBR=7.22~7.98V,VC=11.2V |
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| SMF6.0CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=6V,VBR=6.67~7.37V,VC=10.3V |
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| SMF6.0A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=6V,VBR=6.67~7.37V,VC=10.3V |
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| SMF5.0CA | ESD抑制器/TVS二极管 PD=200W,VRM=5V,VBR=6.4~7V,VC=9.2V |
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