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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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当集电极被施加一个反向电压时, J1 就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个...
IGBT自适应平衡控制系统设计,IGBT串联平衡稳压系统设计
目前柔性直流输电技术正朝着更高电压、更大容量方向发展,由于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管...
什么是IGBT?如何使用此模块实现“双面水冷”,IGNT未来的发展趋势又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管...
TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器。该元件专为英飞凌科 技公司 (Infineon Technologies) HybridPA...
本文根据IGBT的短路特性和大功率IGBT模块的结构特点设计了一种新型大功率IGBT模块的短路检测电路,采用两级di/dt检测IGBT两类短路状态的实用方法。
2016-08-17 标签:igbt 6.4k 0
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向...
目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源,这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作,且安全性比较高,因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。
UPS是一种含有储能装置,以逆变器为主要组成部分的恒电压、恒频率输出的不间断电源系统。对于整个系统而言,各功能电路的工作电源的重要性是不言而喻的,因为一...
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