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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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而国内在电机、电控领域的自主化程度仍远落后于动力电池领域的研发和生产。如IGBT芯片等仍不具备完全自主生产能力,具备系统完整知识产权的整车企业和零部件企...
对新能源车来说,电池、VCU、BSM、电机效率都缺乏提升空间,最有提升空间的当属电机驱动部分,而电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
本文首先介绍了IGBT的作用及选型四个基本要求,其次介绍了IGBT选型方法及影响IGBT可靠性因素,最后介绍了IGBT使用注意事项及保管方法。
氮化镓提供更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更好的热预算、从而提高电动汽车的功率输出和能效,且降低了重量和成本。
屈兴国告诉半导体行业观察记者,东芝IEGT单管目前可以实现4.5KV和3KA的功率,再加上简易的串联实施,这些产品完美匹配中国柔性直流输电、直流电网发展...
IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件,正如其开发的目的,结合了高效率和快速的开关功能,它在许多应用中切换电力,像是变频驱动(VFD)、电动汽...
英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列:英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能...
本文首先介绍了IGBT的概念与结构,其次对IGB模块原理电路进行了分析以及介绍了变频器IGBT模块常见故障处理,最后介绍了变频器IGBT模块检测方法以及...
通常情况下,为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生,国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容,第二是通过使用负门极驱动。如果...
SiC作为宽禁带半导体材料,与Si相比具有击穿场强高、导热系数高、载流能力大、开关速度快、可高温工作等优点,适用于高压、高温、高频等领域的应用。
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