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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT与MOS管的区别,IGBT与可控硅的区别,IGBT驱动电路设计
多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流...
IGBT作为具有开关速度快,导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及...
2019-01-01 标签:IGBT 5.3万 0
变频器工作原理图讲解:功能、分类、参数设定、过流故障及处理方法
变频器原理图讲解:变频器主电路是给异步电动机提供调压调频电源的电力变换部分,变频器的主电路大体上可分为两类 电压型是将电压源的直流变换为交流的变频器,直...
IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效电路可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
变频器工作原理是将交流电经整流桥整流成直流电后,再经逆变电路逆变成三相交流电,一旦将电源线接到变频器的输出端(U、V、W)时,则任意一个送变晶体管因得到...
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