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DDR5是一种计算机内存规格。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。
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9月1日,2023柏林国际电子消费品展览会(IFA)开幕,联想集团携多款尖端科技产品和解决方案亮相。
继早前展望了消费级 DDR5 内存产品线的规划之后,十铨(TeamGroup)现已开启 DDR5 内存模组的工程样品开发工作。该公司目前正与华硕、微星、...
内存标准制定组织JEDEC周四表示,新一代DDR5内存的规格制定工作已经开始,计划明年定稿。
近日,存储芯片市场传来重大消息,SK海力士正式通知市场,其DDR5内存产品将涨价15%至20%,这一举动无疑给市场投下了一枚震撼弹。此次涨价的根源在于,...
TeamGroup今天宣布,它是第一家进入DDR5内存模块测试和验证过程的公司。该公司还表示,它正在与主板制造商合作,以补充期待已久的芯片。他们计划在2...
Intel的Xeon处理器路线图泄露 7nmEUV工艺和8通道DDR5及PCIe5.0全都有
在月初的投资者会议上,Intel公布了未来三年的处理器及半导体工艺路线图,14nm工艺还会继续扩充产能,10nm工艺处理器今年6上市,2021年量产7n...
作为国产存储品牌的领袖,拥有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)两大品牌的嘉合劲威今天宣布,正在积极布局导入DDR5内存新技术,2021年将在...
瑞萨电子推全新精密温度传感器TS5111,适用于DDR5存储模块
TS5111在提供具有可编程预警信号的准确、高精度的系统温度方面发挥了关键作用,使系统能够执行热控制回路机制,如存储器刷新率、风扇速度和带宽调节。
随着国产DDR5内存的上市,内存市场的竞争态势即将迎来新的变化。DRAM内存作为半导体产业的明星产品,据市调机构Trendforce预估,2024年全球...
Rambus首次公布HBM3/DDR5内存技术参数,最大的关注点在于都是由7nm工艺制造。7nm工艺被认为是极限,因为到了7nm节点即使是finfet也...
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