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| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| AP9T18GH-HF | AP9T18GH-HF |
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| AP2307GN-HF | AP2307GN-HF |
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| AP9575GH-HF | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=15A RDS(ON)=120mΩ@4.5V TO252 |
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| AP9977GH | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±25V ID=11A RDS(ON)=100mΩ@10V TO252 |
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| AP10P500N | P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1.38W |
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| AP3P3R0MT | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):5W |
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| AP2306GN | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23 |
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| AP6N090N | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.5A 功率(Pd):1.25W |
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| AP6P250N | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.6A 功率(Pd):1.25W |
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| AP2320GN-S | n通道增强模式 |
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| AP2301GN | p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23 |
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| AP9561GH-HF | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):60W |
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| AP6679GH | P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):89W |
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| AP15P10GH-HF | P通道增强模式 |
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| AP1332GEU-HF | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±8V ID=0.6A SOT323 |
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| AP2P053N | P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.25W |
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| AP2302GN-HF | N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23 |
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| AP83T03GH | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):60W |
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| AP95T07GP-HF | N沟道增强型功率MOSFET |
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| AP2315GEN | P沟道增强型功率MOSFET SOT23S VDS=30V VGS=±16V ID=0.84A |
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| AP2328GN-HF | N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A |
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| AP2310GN | SOT23 1.38W |
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| AP3N1R8MT | N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40.6A 功率(Pd):5W |
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| AP9565BGH | P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):17A 功率(Pd):25W |
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| AP9579GM | P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):2.5W |
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| IRF840I | IRF840I - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp. |
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| IRF840 | IRF840 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp. |
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| IRF830 | IRF830 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp. |
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| IRF630 | IRF630 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET - Advanced Power Electronics Corp. |
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