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标签 > 晶闸管
晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构
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IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成门控晶闸管)的工作原理是通过对内部PN结区域施加正向电压,将PN...
晶闸管导通条件:门极G加触发信号,主端子A、K之间加正向电压,且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。
随着电力电子技术正向着轻型化、微型化、智能化、节能化发展,各种控制电路和不间断电源、开关电源的应用不断扩大。做为直接影响这些电路设计合理性和运行可靠性的...
可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量。当向可控硅施加电压时,如果阳极端可以与阴极相关+ve,则可控硅变成转发偏向。因此该晶闸管进入...
超大功率晶闸管(Ultra-large Power Thyristor,简称ULTRA-T)是一种用于高电压、高电流场合的功率半导体器件,通常应用于工...
氮化镓功率器件可以分为三类:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(晶闸管)和JFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是一种半导体器件。是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的...
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