AP50N03DF

制造商：APM-Microelectronics

描述：类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):26W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):87pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);

Datasheet：

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器件参数

Function

连续漏极电流

50 A
输入偏置电容@15V

870 pF
类型

N沟道
漏源电压

30 V
漏源导通电阻@10V,6A

10.5 mΩ
栅源极阈值电压@250uA

1.6 V
栅极电荷@4.5V

4.2 nC
反向传输电容@15V

87 pF
功率耗散

26 W

Physical

工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
制造商封装

PDFN-8L(3x3)

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