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优势和特点
非反射50Ω设计
正控制电压： 0/+3.3V
低插入损耗： 0.68 dB (8 GHz)
高隔离度： 48 dB (8 GHz)
高功耗处理：
35.5 dBm（通过路径）
27 dBm（端接路径）
高线性度：
1 dB压缩(P1dB)：37 dBm（典型值）
输出三阶交调截点(IIP3)：62 dBm（典型值）
ESD额定值： 2kV 人体模型(HBM)
3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
无低频杂散
建立时间（最终RFOUT的0.05 dB裕量）：7.5 μs
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