FCPF250N65S3R0L N沟道SuperFET®IIIMOSFET650 V，12 A，250mΩ，TO-220F
数据：
FCPF250N65S3R0Ldatasheet.pdf
产品信息
SuperFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和降低栅极电荷性能。这种先进技术专为最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和承受极高的dv / dt速率而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电源系统。 优化电容 700 V @ TJ = 150°C 低效输出电容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低栅极电荷（典型值Qg = 24 nC） 典型值。 RDS（on）=210mΩ 100％雪崩测试 内部栅极电阻：1.1ohm 符合RoHS标准
