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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

FDG6303N 双N沟道数字FET

数据： FDG6303Ndatasheet.pdf

产品信息

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

25V、0.50A（连续值）、1.5A（峰值）。
R
= 0.45 Ω @ V
= 4.5 V，
R
= 0.60 Ω @ V
= 2.7 V。
电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(V
< 1.5 V)。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

技术文档

数据手册（1）相关资料（8）

FDG6303Ndatasheet.pdf

元器件购买 FDG6303N 相关库存

MOSFETs

型号：FDG6303N 封装：SC70-6

品牌：VBsemi 描述：MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363

金额：￥0.77970
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MOSFETs

型号：FDG6303N 封装：SOT363

品牌：ON 描述：数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363

金额：￥1.86224
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