FDG6304P 双P沟道数字FET
数据：
FDG6304Pdatasheet.pdf
产品信息
这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
- -25 V、-0.41 A（连续值）、-1.5 A（峰值）。
- R
- = 1.1 Ω @ V
- = 4.5 V，
- R
- = 1.5 Ω @ V
- = -2.7 V。
- 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(V
- < 1.5 V)。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力（>6kV人体模型）。
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。
