此器件特别适合便携式电子设备的紧凑型电源管理,输入电压为3 V至20 V,输出电流为2.3 A.负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET(Q1),在一个小型SuperSOT ™-6封装中驱动一个大型P沟道功率MOSFET(Q2)。
| 特性 |
- V DROP = 0.2 V(V IN = 12 V,I L = 2.5 A,R (ON) =0.08Ω
时)V DROP = 0.2V @ V IN = 5V,I L = 1.6A.R (ON) =0.125Ω |
- 控制MOSFET(Q1)包含增强耐静电放电(ESD)能力的齐纳二极管保护(> 6 kV人体模型)
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- 高性能PowerTrench™技术可实现极低的导通电阻。
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- SuperSOT™6封装设计(使用铜引线框架),可提供出色的热和电气能力。
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电路图、引脚图和封装图
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