UCC21530-Q1 具有使能端的汽车 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

描述

UCC21530-Q1是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A源和6A吸收峰值电流。它设计用于驱动高达5 MHz的IGBT和SiC MOSFET，具有同类最佳的传播延迟和脉冲宽度失真。

输入侧通过一个5.7kV _RMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器隔离，具有最低100V /ns的共模瞬变抗扰度（CMTI） ）。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许工作电压高达1850 V _MAX 。

此驱动器可配置为两个低端驱动器，两个高端驱动器驱动程序或具有可编程死区时间（DT）的半桥驱动程序。拉低的EN引脚同时关闭两个输出，并在打开或拉高时允许正常操作。作为故障安全措施，初级侧逻辑故障会将两个输出都拉低。

器件可接受高达25 V的VDD电源电压。宽输入VCCI范围为3 V至18 V，使驱动器适合接口连接同时具有模拟和数字控制器。所有电源引脚均具有欠压锁定（UVLO）保护。

凭借所有这些先进功能，UCC21530-Q1可在各种电源应用中实现高效率，高功率密度和稳健性。

特性

• 通用：双低侧，双侧高侧或半桥驱动器
• 宽体SOIC-14（ DWK）封装
• 驱动器通道之间3.3mm间距
• 开关参数：
  • 19-ns典型传播延迟
  • 10-ns最小脉冲宽度
  • 5 ns最大延迟匹配
  • 6 ns最大脉冲宽度失真
• 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于100 V /ns
• 浪涌抗扰度高达12.8 kV
• 隔离阻隔寿命> 40年
• 4-A峰值源，6-A峰值接收器输出
• TTL和CMOS兼容输入
• 3 V至18 V输入VCCI范围
• 高达25 V VDD输出驱动电源
• 可编程重叠和死区时间
• 拒绝短于5 ns的输入脉冲和噪声瞬变
• 工作温度范围-40至+ 125°C
• 安全相关认证（计划）：
  • 8000-V _PK 根据DIN V VDE隔离V 0884-11：2017-01
  • 5.7-kV _RMS 根据UL1577进行1分钟隔离
  • 符合IEC 60950-1，IEC 62368-1，IEC 61010-1和IEC60601-1终端设备标准的CSA认证
  < li> CQC认证perGB4943.1-2011
• 计划参加AEC-Q100认证：
  • 设备温度等级1
  • 设备HBM ESD ClassificationLevel H2
  • 设备CDM ESD分类级别C6

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 隔离栅极驱动器

  Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group   UCC21530-Q1 UCC21520 UCC21521 5700     5700     5700     8000     8000     8000     2121     2121     2121     2     2     2     IGBT, SiCFET     MOSFET
IGBT     MOSFET
IGBT     Enable     Disable     Enable     25     25     25     14.7     9.2     9.2     3     3     3     18     18     18     6     6     6     19     19     19     -40 to 125     -40 to 125     -40 to 125     SOIC | 14     SOIC | 16     SOIC | 16    

方框图

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  UCC21530-Q1 - 功能方框图