UCC21222-Q1 具有死区时间的汽车类 4A、6A、3.0kV (RMS) 隔离式双通道栅极驱动器

描述

UCC21222-Q1器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET，IGBT和GaN晶体管。

UCC21222-Q1器件可配置为两个低侧驱动器，两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的5ns延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重载载条件下将驱动强度提高一倍，而无内内击穿风险。

输入侧通过一个3.0kV _RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）的最小值为100V /ns。

可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当DIS设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于5ns的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达-2V的尖峰进行200ns的负电压处理。所有电源都有UVLO保护。

具有符合AEC Q100标准的下列特性：
- 器件温度1级
- 器件人体放电模式（HBM）静电放电（ESD）分类等级H2
- 器件CDM ESD分类等级C6
结温范围为-40°C至150 °C
可通过电阻器编程的死区时间
通用：双路低侧，双路高侧或半桥驱动器
4A峰值拉电流，6A峰值灌电流输出
3V至5.5V输入VCCI范围
高达18V的VDD输出驱动电源
- 8V VDD UVLO
开关参数：
- 28ns典型传播延迟
- 10ns最小脉冲宽度
- 5ns最大延迟匹配度
TTL和CMOS兼容输入
集成抗尖峰滤波器
I /O承受-2V电压的时间达200ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）大于100V /ns
隔离栅寿命大于40年
浪涌抗扰度高达7800V _PK
窄体SOI C-16（D）封装
安全相关认证（计划）：
- 符合DIN V VDE V 0884-11：2017-01和DIN EN 61010-1标准的4242V _PK隔离
- 符合UL 1577标准且长达1分钟的3000V _RMS隔离
- 获得CSA认证，符合IEC 60950-1 ，IEC 62368-1和IEC 61010-1终端设备标准
- 通过GB4943.1-2011 CQC认证

所有商标均为其各自所有者的财产。


Isolation Rating (Vrms)
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
Number of Channels (#)
Power Switch
Enable/Disable Function
Output VCC/VDD (Max) (V)
Output VCC/VDD (Min) (V)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Peak Output Current (A)
Prop Delay (ns)
Prop Delay (Max) (ns)
Operating Temperature Range (C)
Package Group

UCC21222-Q1	UCC20225	UCC21520	UCC21520-Q1
3000	2500	5700	5700
4242	3535	8000	8000
990	792	2121	2121
2	2	2	2
MOSFET IGBT GaNFET	MOSFET GaNFET	MOSFET IGBT	MOSFET IGBT
Disable	Disable	Disable	Disable
18	25	25	25
9.2	9.2	9.2	9.2
3	3	3	3
5.5	18	18	18
6	6	6	6
25	19	19	19
40	30	30	30
-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125
SOIC	VLGA	SOIC	SOIC

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