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TLV854x超低功耗运算放大器适用于无线和低功耗有线设备中的成本优化型传感应用.TLV854x系列运算放大器可最大限度地减少极其注重电池使用寿命的运动检测安全系统（如微波和PIR运动传感系统）等设备的功耗。此类器件的互补金属氧化物半导体（CMOS）输入级经过精心设计，能够实现超低飞安级失调电流，从而降低I BIAS 和I OS 误差，否则会影响敏感应用。这些方面的示例包括带有兆欧级反馈电阻器的跨阻放大器（TIA）配置以及高源阻抗传感应用。此外，内置的EMI保护可降低器件对手机，WiFi，无线电发射器和标签阅读器等发出的无用射频信号的敏感度。
< p> TLV854x运算放大器采用低至1.7V的单电源电压供电，并且可在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内，在低电量情况下连续运行。所有版本的额定工作温度范均为-40°C至125°C.TLV8541（单通道版本）采用5引脚SOT-23封装，而TLV8542（双通道版本）采用8引脚SOIC封装。四通道TLV8544（四通道版本）采用行业标准14引脚TSSOP封装。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Iq per channel (Max) (mA) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Features |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| CMRR (Typ) (dB) |
| TLV8544 | TLV8541 | TLV8542 | TLV8801 | TLV8802 | TLV8811 | TLV8812 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 4 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 | 1.7 |
| 3.6 | 3.6 | 3.6 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | 5.5 |
| 0.00064 | 0.00064 | 0.00064 | 0.0007 | 0.00065 | 0.00075 | 0.0007 |
| 0.0005 | 0.00055 | 0.0005 | 0.00045 | 0.00032 | 0.00045 | 0.000425 |
| 3.1 | 3.1 | 3.1 | 4.5 | 4.5 | 0.55 | 0.5 |
| 0.8 | 0.8 | 0.8 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 0.008 | 0.008 | 0.008 | 0.006 | 0.006 | 0.006 | 0.006 |
| 0.0035 | 3.5 | 0.0035 | 0.0015 | 0.0015 | 0.0015 | 0.0015 |
| In Out | In Out | In Out | In to V- Out | In to V- Out | In to V- Out | In to V- Out |
| Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
| SOIC TSSOP | SOT-23 | SOIC | SOT-23 | VSSOP | SOT-23 | VSSOP |
| Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened |
| 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) | 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) |
| 264 | 264 | 264 | 450 | 450 | 450 | 450 |
| 15 | 30 | 15 | 4.7 | 4.7 | 4.7 | 4.7 |
| CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | |
| 75 | 80 | 80 | 90 | 90 | 95 | 98 |
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