LPV521 纳瓦级功率、1.8V、RRIO、CMOS 输入运算放大器

数据： LPV521 NanoPower, 1.8-V, RRIO, CMOS Input, Operational Amplifier 数据表

描述

LPV521是一款单纳秒功率552-nW放大器，专为超长寿命电池应用而设计。工作电压范围为1.6 V至5.5 V，典型电流为351 nA，非常适合RFID读取器和远程传感器纳米功率应用。该器件在轨道上输入共模电压0.1 V，保证TCV _OS和电压摆幅到轨输出性能。 LPV521具有精心设计的CMOS输入级，通常具有40 fA I _BIAS电流，优于竞争对手。这种低输入电流显着降低了兆欧电阻，高阻抗光电二极管和电荷检测情况下引入的I _BIAS和I _OS误差。 LPV521是PowerWise系列的一员，具有出色的功率 - 性能比。

宽输入共模电压范围，保证1 mV V _OS和3.5μV /°C TCV _OS可以对高端和低端电流检测进行精确和稳定的测量。

设备中设计了EMI保护，以降低对不需要的RF信号的灵敏度

LPV521采用5引脚SC70封装。

特性

对于V _S = 5 V，典型值除非另有说明
- V <时的电流sub> CM = 0.3 V 400 nA（Max）
- 工作电压范围1.6 V至5.5 V
- 低TCV _OS3.5μV/°C（最大值）
- V _OS 1 mV（最大值）
- 输入偏置电流40 fA
- PSRR 109 dB
- CMRR 102 dB
- 开环增益132 dB
- 增益带宽积6.2 kHz
- 压摆率2.4 V /ms
- f = 100 Hz时的输入电压噪声255 nV /√Hz
- 温度范围?? 40°C至125°C

参数与其它产品相比超低功耗运算放大器 (Iq<=10µA)


Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
Iq per channel (Max) (mA)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Features
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)

LPV521	LPV542	TLV521	TLV522
1	2	1	2
1.6	1.6	1.7	1.7
5.5	5.5	5.5	5.5
0.0004	0.00085	0.0005	0.0008
0.000351	0.00048	0.00035	0.0005
1	3	3	4
0.4	1	1.5	1.5
0.0062	0.008	0.006	0.008
0.0024	0.0037	0.0029	0.0037
In Out	In Out	In Out	In Out
Catalog	Catalog	Catalog	Catalog
-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125	-40 to 125
SC70	VSSOP X1SON	SC70	VSSOP
EMI Hardened	EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened	Cost Optimized EMI Hardened
5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70)	8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) 8X1SON: 9 mm2: 3 x 3(X1SON)	5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70)	8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP)
255	250	300	300
22	30	12	5
CMOS		CMOS	CMOS
1	1
102	101	100	90