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TL032 双路增强型 JFET 低功耗精密运算放大器

数据:

描述

TL03x系列JFET输入运算放大器与TL06x系列低功耗BiFET运算放大器相比,具有更高的直流和交流特性。片内齐纳偏置电压调整可产生低至1.5 mV(TL031A)的精度等级,从而在直流耦合应用中实现更高的精度。德州仪器改进了BiFET工艺,优化设计还可以在不增加功耗的情况下提高带宽和压摆率。 TL03x器件与TL06x引脚兼容,可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。

BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这种更高的输入阻抗使TL3x放大器更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,这些器件还具有固有的更好的交流响应。

TL03x系列针对微功率操作进行了优化,同时改善了TL06x系列的性能。需要明显更快的交流响应的设计师应该考虑Excalibur? TLE206x系列低功耗BiFET运算放大器。

由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。单一供应。需要对输入信号进行直流偏置,并且应在中间电源处将负载端接到虚拟接地节点。 TI TLE2426集成虚拟地发生器在使用单电源工作时可用于BiFET放大器。

TL03x器件的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低电压和/或单电源工作 - 供电系统,推荐使用TI LinCMOS系列运算放大器(TLC前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意压摆率,带宽要求和输出负载。

C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。

特性

  • TL06x低功耗BiFET的直接升级
  • 低功耗。 。 。 6.5 mW /通道典型
  • 片内偏移电压调整可提高直流性能(1.5 mV,TL031A)
  • 更高的摆率和带宽,但不会增加功耗
  • < li>适用于小型设计的TSSOP

Excalibur是德州仪器的商标。

参数 与其它产品相比 通用 运算放大器

 
Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture
TL032 TL031 TL032A TL034 TL034A
2     1     2     4     4    
10     10     10     10     10    
30     30     30     30     30    
1.1     1.1     1.1     1.1     1.1    
2.9     2.9     2.9     2.9     2.9    
In to V+     In to V+     In to V+     In to V+     In to V+    
1.5     1.5     0.8     4     1.5    
0.217     0.217     0.217     0.217     0.217    
41     41     41     41     41    
Catalog     Catalog     Catalog     Catalog     Catalog    
-40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
-40 to 85
0 to 70    
PDIP
SO
SOIC    
PDIP
SOIC    
PDIP
SOIC    
PDIP
SO
SOIC
TSSOP    
PDIP
SOIC    
See datasheet (PDIP)
8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)    
See datasheet (PDIP)
14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)
14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP)    
See datasheet (PDIP)
14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)    
9.7     4.3     9.7     10.9     10.9    
N/A     N/A     N/A     N/A     N/A    
200     200     200     200     200    
94     94     94     94     94    
8     8     8     8     8    
FET     FET     FET     FET     FET    

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