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TL03x系列JFET输入运算放大器与TL06x系列低功耗BiFET运算放大器相比,具有更高的直流和交流特性。片内齐纳偏置电压调整可产生低至1.5 mV(TL031A)的精度等级,从而在直流耦合应用中实现更高的精度。德州仪器改进了BiFET工艺,优化设计还可以在不增加功耗的情况下提高带宽和压摆率。 TL03x器件与TL06x引脚兼容,可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。
BiFET运算放大器提供JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗,而不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这种更高的输入阻抗使TL3x放大器更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有相当功耗的双极或CMOS器件相比,这些器件还具有固有的更好的交流响应。
TL03x系列针对微功率操作进行了优化,同时改善了TL06x系列的性能。需要明显更快的交流响应的设计师应该考虑Excalibur? TLE206x系列低功耗BiFET运算放大器。
由于BiFET运算放大器设计用于双电源,因此必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。单一供应。需要对输入信号进行直流偏置,并且应在中间电源处将负载端接到虚拟接地节点。 TI TLE2426集成虚拟地发生器在使用单电源工作时可用于BiFET放大器。
TL03x器件的额定电压为±15 V和±5 V.适用于低电压和/或单电源工作 - 供电系统,推荐使用TI LinCMOS系列运算放大器(TLC前缀)。从BiFET转换到CMOS放大器时,应特别注意压摆率,带宽要求和输出负载。
C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在40°C至85°C的温度范围内工作。 M后缀器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
Excalibur是德州仪器的商标。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TL032 | TL031 | TL032A | TL034 | TL034A |
|---|---|---|---|---|
| 2 | 1 | 2 | 4 | 4 |
| 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 | 1.1 |
| 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 |
| In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ | In to V+ |
| 1.5 | 1.5 | 0.8 | 4 | 1.5 |
| 0.217 | 0.217 | 0.217 | 0.217 | 0.217 |
| 41 | 41 | 41 | 41 | 41 |
| Catalog | Catalog | Catalog | Catalog | Catalog |
| -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 | -40 to 85 0 to 70 |
| PDIP SO SOIC | PDIP SOIC | PDIP SOIC | PDIP SO SOIC TSSOP | PDIP SOIC |
| See datasheet (PDIP) 8SO: 48 mm2: 7.8 x 6.2(SO) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) | See datasheet (PDIP) 14SO: 80 mm2: 7.8 x 10.2(SO) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) | See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC) |
| 9.7 | 4.3 | 9.7 | 10.9 | 10.9 |
| N/A | N/A | N/A | N/A | N/A |
| 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 94 | 94 | 94 | 94 | 94 |
| 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| FET | FET | FET | FET | FET |