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TLV314系列单通道,双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗,通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅(RRIO),低静态电流(5V时的典型值为150μA/通道)以及3MHz的高带宽等特性。对于电池供电应用而言,一般要求性能和成本良好均衡,此类放大器非常具有吸引力。此外,TLV314系列架构可实现低至1pA的输入偏置电流,因此适用于源阻抗高达兆欧姆级别的应用。
TLV314器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用:单位增益稳定,具有RRIO和集成的RF /EMI抑制滤波器,容性负载最高达300 pF,在过驱情况下不出现反相,并且带有高静电放电(ESD)保护(4kV HBM) )。
此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。
TLV314(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314(双通道)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和超薄小外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TLV314 | TLV2314 | TLV4314 |
|---|---|---|
| 1 | 2 | 4 |
| 1.8 | 1.8 | 1.8 |
| 5.5 | 5.5 | 5.5 |
| 3 | 3 | 3 |
| 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| In Out | In Out | In Out |
| 3 | 3 | 3 |
| 0.15 | 0.15 | 0.15 |
| 16 | 16 | 16 |
| Catalog | Catalog | Catalog |
| -40 to 125 | -40 to 125 | -40 to 125 |
| SC70 SOT-23 | SOIC VSSOP | TSSOP |
| 5SC70: 4 mm2: 2.1 x 2(SC70) 5SOT-23: 8 mm2: 2.8 x 2.9(SOT-23) | 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8VSSOP: 15 mm2: 4.9 x 3(VSSOP) | 14TSSOP: 32 mm2: 6.4 x 5(TSSOP) |
| 2 | 2 | 2 |
| Cost Optimized EMI Hardened Small Size | Cost Optimized EMI Hardened | Cost Optimized EMI Hardened |
| 96 | ||
| 96 | 96 | 96 |
| 20 | 20 | 20 |
| CMOS | CMOS | CMOS |