TLC082-Q1 TLC080-Q1, TLC081-Q1, TLC082-Q1, TLC083-Q1, TLC084-Q1, TLC085-Q1

数据： TLC08x-Q1 Wide-Bandwidth High-Output-Drive Single-Supply Operational Amplifiers 数据表

描述

TLC08x-Q1是第一款突出TI BiCMOS技术的通用运算放大器。 BiMOS系列概念很简单：为BiFET用户提供升级途径，这些用户正在从双电源系统转向单电源系统，并要求更高的AC和DC性能。 BiMOS在汽车温度范围（-40°C至125°C）内具有4.5 V至16 V的额定性能，适用于各种音频，汽车，工业和仪器仪表应用。

BiMOS放大器采用TI专利的LBC3 BiCMOS工艺开发，具有极高的输入阻抗，低噪声CMOS前端和高驱动双极输出级，因此可提供两者的最佳性能特性。与TL08x-Q1 BiFET前代产品相比，AC性能提升包括10 MHz的带宽和8.5 nV /√的电压噪声 Hz 。这些特性使TLC08x-Q1器件能够适用于ADAS（如短程雷达）和汽车车身。 TLC082-Q1也适用于信息娱乐和集群，作为汽车音频应用中的前置放大器。

DC改进包括确保V _ICR，包括地面，减少四倍输入失调电压低至1.5 mV（最大值），电源抑制改善大于40 dB至130 dB。除了这个令人印象深刻的功能列表之外，还能够从超小尺寸的MSOP PowerPAD封装中轻松驱动±50 mA负载，这使TLC08x-Q1成为理想的高性能通用运算放大器系列。

对于所有可用的封装，请参见数据表末尾的可订购附录。

特性

宽带宽：10 MHz
高输出驱动
- I _OH：57 _DD -1.5 V
高转换率
- SR +：16 V /μs
- SR-：19 V /μs
宽电源电压范围：4.5 V至16 V
电源电流：每通道1.9 mA
低输入噪声电压：8.5nV√ Hz
输入失调电压：60μV
用于TLC082-Q1的超小型8引脚MSOP-PowerPAD封装

< small>所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比通用运算放大器


Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture

TLC082-Q1	TLC080	TLC081	TLC082	TLC083	TLC084	TLC084-Q1	TLC085
2	1	1	2	2	4	4	4
4.5	4.5	4.5	4.5	4.5	4.5	4.5	4.5
16	16	16	16	16	16	16	16
10	10	10	10	10	10	10	10
16	16	16	16	16	16	16	16
In to V-	In to V-	In to V-	In to V-	In to V-	In to V-	In to V-	In to V-
1.9	1.9	1.9	1.9	1.9	1.9	1.9	1.9
1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8
8.5	8.5	8.5	8.5	8.5	8.5	8.5	8.5
Automotive	Catalog	Catalog	Catalog	Catalog	Catalog	Automotive	Catalog
-40 to 125	-40 to 125 0 to 70	-40 to 125 0 to 70	-40 to 125 0 to 70	-40 to 125 0 to 70	-40 to 125 0 to 70	-40 to 125	0 to 70
MSOP-PowerPAD	MSOP-PowerPAD PDIP SOIC	MSOP-PowerPAD PDIP SOIC	MSOP-PowerPAD PDIP SOIC	MSOP-PowerPAD PDIP SOIC	HTSSOP PDIP SOIC	HTSSOP	HTSSOP PDIP
8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD)	8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)	8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)	8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)	10MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD) See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)	20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) See datasheet (PDIP) 14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)	20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP)	20HTSSOP: 42 mm2: 6.4 x 6.5(HTSSOP) See datasheet (PDIP)
1.2	1.2	1.2	1.2	1.2	1.2	1.2	1.2
N/A	Shutdown	N/A	N/A	Shutdown	N/A	N/A	Shutdown
50	50	50	50	50	50	50	50
110	110	110	110	110	110	110	110
100	100	100	100	100	100	100	100
CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS