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CSD18511KCS CSD18511KCS

数据： CSD18511KCS 40V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

描述

此40V，2.1mΩ，TO-220 NexFET™功率MOSFET被设计成大大降低功率转换损耗的理想选择。

特性

低Q _g和Q _gd
低R _DS（ON）
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素
晶体管（TO）-220塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18511KCS	CSD18503KCS	CSD18504KCS	CSD18510KCS
40	40	40	40
Single	Single	Single	Single
4.2	6.8	10	2.6
2.6	4.5	7	1.7
400	358	238	400
64	30	19	119
9.7	4.6	3.5	21
TO-220	TO-220	TO-220	TO-220
20	20	20	20
1.8	1.9	1.9	1.7
194	142	89	274
110	100	100	200
Yes	Yes	Yes	Yes

方框图 (1)

技术文档

数据手册（1）

CSD18511KCS 40V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

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