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数据： CSD23202W10 12V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表
这款12V，44mΩ器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的1mm×1mm小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD23202W10 |
|---|
| -12 |
| -6 |
| Single |
| 53 |
| 66 |
| 92 |
| -25 |
| -2.2 |
| 2.9 |
| 0.28 |
| 0.55 |
| -0.6 |
| WLP 1.0x1.0 |
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