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这款-20V，110mΩ，P沟道FemtoFET™MOSFET经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）的同时大幅减小封装尺寸。
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| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25480F3 | CSD23280F3 | CSD23382F4 | CSD25213W10 | CSD25481F4 | CSD25483F4 | CSD25484F4 | CSD25485F5 | CSD25501F3 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -20 | -12 | -12 | -20 | -20 | -20 | -20 | -20 | -20 |
| -12 | -6 | -8 | -6 | -12 | -12 | -12 | -12 | -20 |
| Single | Single | Single | Single | Single | Single | Single | Single | Single |
| 159 | 116 | 76 | 47 | 105 | 245 | 109 | 42 | 76 |
| 260 | 165 | 105 | 67 | 175 | 390 | 180 | 70 | 125 |
| 840 | 250 | 199 | 800 | 1070 | 825 | 250 | 260 | |
| -10.4 | -11.4 | -22 | -16 | -10 | -6.5 | -22 | -31 | -13.6 |
| -1.7 | -1.8 | -3.5 | -1.6 | -2.5 | -1.6 | -2.5 | -5.3 | -3.6 |
| 0.7 | 0.95 | 1.04 | 2.2 | 0.913 | 0.96 | 1.09 | 2.7 | 1.02 |
| 0.1 | 0.068 | 0.15 | 0.14 | 0.153 | 0.16 | 0.15 | 0.56 | 0.09 |
| 0.26 | 0.3 | 0.5 | 0.74 | 0.24 | 0.25 | 0.35 | 0.67 | 0.45 |
| -0.95 | -0.65 | -0.8 | -0.85 | -0.95 | -0.95 | -0.95 | -0.95 | -0.75 |
| LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x0.7 | LGA 0.6x1.0 | WLP 1.0x1.0 | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.6x1.0 | LGA 0.8x1.5 | LGA 0.6x0.7 |
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