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数据： CSD25310Q2 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款19.9mΩ，20V P通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。与低导通电阻，与SON 2mm x 2mm塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起，使得此器件成为电池供电，空间受限运行的理想选择。
顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 43°C /W，这是在0.060英寸厚环氧树脂（FR4）印刷电路板（PCB）上的1in²铜（2盎司）过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间10μs，占空比≤2％
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| VGS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms) |
| Id Peak (Max) (A) |
| Id Max Cont (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| QGS Typ (nC) |
| VGSTH Typ (V) |
| Package (mm) |
| CSD25310Q2 | CSD25402Q3A | CSD25404Q3 |
|---|---|---|
| -20 | -20 | -20 |
| -8 | -12 | -12 |
| Single | Single | Single |
| 23.9 | 8.9 | 6.5 |
| 32.5 | 15.9 | 12.1 |
| 89 | 300 | 150 |
| -48 | -82 | -240 |
| -9.6 | -15 | -18 |
| 3.6 | 7.5 | 10.8 |
| 0.5 | 1.1 | 2.2 |
| 1.1 | 2.4 | 2.8 |
| -0.85 | -0.9 | -0.9 |
| SON 2x2 | SON 3x3 | SON 3x3 |
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