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这种30V，54mΩ，N沟道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小60％以上。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD17382F4 | CSD13381F4 | CSD13383F4 | CSD17484F4 |
|---|---|---|---|
| 30 | 12 | 12 | 30 |
| Single | Single | Single | Single |
| 67 | 180 | 44 | 128 |
| 14.8 | 7 | 27 | 18 |
| 2.1 | 1.06 | 2 | 0.92 |
| 0.63 | 0.14 | 0.6 | 0.075 |
| LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0 x 0.6mm | LGA 1.0x0.6mm |
| 67 | 170 | 53 | 125 |
| 10 | 8 | 10 | 12 |
| 0.9 | 0.85 | 1 | 0.85 |
| Yes | Yes | Yes | Yes |
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