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数据： CSD18536KCS 60V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款60V，1.3mΩ，TO-220 NexFET™功率MOSFET的设计被用来降低功率转换中的损耗，损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18536KCS |
|---|
| 60 |
| Single |
| 2.2 |
| 1.6 |
| 400 |
| 83 |
| 14 |
| TO-220 |
| 20 |
| 1.8 |
| 349 |
| 200 |
| Yes |
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