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数据： CSD17559Q5 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这款30V，0.95mΩ，5mm×6mm SON封装NexFET功率MOSFET设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。 /p>顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录.R θJA = 40°C /W，这是在厚度为0.06英寸（1.52 mm）的环氧板（FR4）印刷电路板（PCB）上的1英寸 2 （6.45 cm 2 ），2盎司（厚度为0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大R θJC = 1.2°C /W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1％
< /small>
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17559Q5 |
|---|
| 30 |
| Single |
| 1.5 |
| 1.15 |
| 400 |
| 39 |
| 9.3 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.4 |
| 257 |
| 100 |
| Yes |
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