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此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
在 2 2盎司纯铜（Cu）（2盎司）且厚度为0.060“的环氧板（FR4）印刷电路板（PCB）上，R < sub>θJA = 105°C /W（典型值）。脉宽≤300μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD13201W10 |
|---|
| 12 |
| Single |
| 34 |
| 20.2 |
| 2.3 |
| 0.3 |
| WLP 1.0x1.0 |
| 29 |
| 8 |
| 0.8 |
| Yes |
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