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这款5.0mΩ，60V TO-220 NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低损耗。
脉冲持续时间≤300μs，占空比≤2％
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18533KCS |
|---|
| 60 |
| Single |
| 9 |
| 6.3 |
| 293 |
| 28 |
| 3.9 |
| TO-220 |
| 20 |
| 1.9 |
| 118 |
| 100 |
| Yes |
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