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该器件的设计旨在以最小的外形提供最低的导通电阻和栅极电荷，并具有超薄的热特性。低导通电阻和栅极电荷以及小尺寸和低外形使该器件非常适用于负载管理以及DC-DC转换器应用中电池供电的空间受限应用
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| Logic Level |
| CSD86311W1723 |
|---|
| 25 |
| Dual Common Source |
| 42 |
| 4.5 |
| 3.1 |
| 0.33 |
| WLP1.7x2.3 |
| 10 |
| 1 |
| 4.5 |
| Yes |
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