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NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
NexFET是德州仪器的商标。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| Logic Level |
| CSD16404Q5A |
|---|
| 25 |
| Single |
| 7.2 |
| 5.1 |
| 135 |
| 6.5 |
| 1.7 |
| SON5x6 |
| 16 |
| 1.8 |
| 81 |
| Yes |
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