SN54AS885 8 位幅度比较器

描述

这些先进的肖特基器件能够对两个8位二进制或二进制补码字执行高速算术或逻辑比较。关于字P和Q的两个完全解码的决定在两个输出处可从外部获得。这些器件可完全扩展到任意数量的位，无需外部门。为了比较较长长度的单词，P> 1。 QOUT和P＆lt;处理较低有效位的级的QOUT输出可以连接到P> 1。 QIN和P <处理更多有效位的下一级的QIN输入。级联路径仅使用双门级延迟来实现，以减少长字的总体比较时间。应用信息中显示了两种可选的级联方法。

当P锁存使能（PLE）输入为高电平时，锁存器是透明的;当PLE为低电平时，P输入端口被锁存

。这为设计人员提供了P数据字的临时存储。使用最小延迟时间实现使能电路，以在级联更长字时增强性能。 PLE，P和Q数据输入利用pnp输入晶体管将低电平电流输入要求降低至典型值-0.25 mA，从而最大限度地降低直流负载效应。

SN54AS885具有完整的工作特性军用温度范围为-55°C至125°C。 SN74AS885的特征在于在0℃至70℃的温度下操作。

在这些情况下，P> 1。 QOUT跟随P> QIN和P < QOUT遵循P＆lt; QIN。

AG =算术大于

特性

具有上电清除功能的可锁存P-Input端口
逻辑或算术选择
（二进制补码）比较
数据和PLE输入利用pnp输入晶体管降低直流负载效应
执行更多功能时，对肖特基TTL的交流性能提高约35％
比8位比较的STTL低10％
封装选项包括塑料小外形（DW）封装，陶瓷芯片载体（FK），标准塑料（NT）和陶瓷（JT）300密耳DIP

参数与其它产品相比数字比较器


Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
Voltage (Nom) (V)
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA)
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns)
IOL (Max) (mA)
Input Type
Output Type
Rating
Operating Temperature Range (C)