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电子发烧友网 > 存储技术 > 新品快讯

存储技术

富士通电子推出最新4Mbit FRAM 运作温度最高可达12...

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,并已量产20多年,近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。

2020-07-24 标签:工业机器人fram非易失性内存可穿戴设备富士通 1326

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

eSL10电子束检测系统具有多项革命性技术,能够弥补对关键缺陷检测能力的差距。

2020-07-21 标签:DRAM电子束3d nandKLA 2507

DDR5时代即将来临,泰克推出TekExpress DDR5...

快速存取数量庞大的存储数据,意味着复杂的设计正在挑战信号完整性极限,要求性能更高的测量技术来完成一致性测试、调试和验证。

2020-07-21 标签:泰克发射机信号完整性存储数据DDR5 1118

FORESEE SPI NAND Flash,加速电子产品小...

目前市面上NAND Flash的常规制程为2X~3Xnm,而江波龙采用的是16nm,更加先进。同时内置ECC(4bit/512Bytes)单元,省去了MCU做硬件或软件ECC的功能,对Host端硬件纠错能力要求降低。

2020-07-20 标签:NANDSPINand flash江波龙 1896

西部数据推出18TB和20TB Ultrastar HDD,...

“西部数据广泛的数据中心存储解决方案系列,满足了客户的多样化需求,这使其拥有独特的早期优势,能够利用云计算和OEM客户向18TB甚至20TB过渡的机遇而增强SMR的优势。

2020-07-13 标签:云计算数据存储西部数据HDD 2318

兆易创新推出国内首款2Gb大容量高性能SPI NOR Fla...

GD25/GD55 B/T/X产品系列容量高达2Gb,为大容量高性能应用提供最佳解决方案。

2020-07-03 标签:SPIAINOR flash兆易创新 4146

FORESEE G500发布,江波龙国产固态硬盘再发声

江波龙旗下嵌入式存储品牌FORESEE推出国产固态硬盘G500系列,从闪存颗粒、主控芯片、Firmware研发到生产制造皆由中国本土企业完成。

2020-06-05 标签:固态硬盘嵌入式存储器江波龙 2499

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。

2020-05-11 标签:fram非易失性内存富士通 1475

江波龙电子联合长江存储发布全球最小存储卡

作为江波龙电子的高端消费类存储品牌Lexar雷克沙,借助江波龙积累的产品及技术优势,大力投入研发和创新。

2020-04-21 标签:存储卡江波龙长江存储 2802

腾讯云率先测试希捷银河(Exos)X18企业级硬盘

作为全球领先的云计算提供商,腾讯云对数据存储方案的性能、稳定性、可靠性一直有着严苛的要求。

2020-04-20 标签:硬盘云计算腾讯云 1653

“铠侠”品牌的消费产品在推新 包括microSD/SD存储卡...

凭借其microSD/SD存储卡、USB闪存盘和SSD的全面组合,铠侠提供经过专门设计的消费产品,旨在让终端用户可以随时随地存储其数字生活。

2020-04-16 标签:microSDsd存储卡铠侠 1448

新华三推出“焕新”存储升级计划 构筑更智能的数据平台

对于有意向从3PAR升级到Primera的用户,新华三集团所提供的方案则可以在容量相同、价格相当或更低的情况下,提供更优的硬件配置和更智能化的使用体验。

2020-04-13 标签:紫光智能存储系统新华三 1799

长江存储128层QLC3DNAND闪存研发成功

作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

2020-04-13 标签:NANDSSD长江存储3DNAND 1963

Greenliant发布工业级 ArmourDrive M....

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SSD和 ArmourDrive 87PX 系列 SATA M.2-2280 SSD 可在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内长时间工作。

2020-03-28 标签:NANDSSDdriver固态硬盘 1496

Buffalo推出迷你固态移动硬盘,支持USB-C接口

近日,Buffalo 推出了一款坚固耐用的迷你型移动固态硬盘,外形仅比普通闪存驱动器略大一些。

2020-03-07 标签:存储器移动硬盘 1844

三星成功开发新型硅通孔(TSV)8 层技术的DDR5芯片

随着现代计算机能力的不断发展,推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者,能支持更快的传输速率和更高的容量。近日,三星电子宣布成功开发DDR5芯片,可提供更强大、更可靠的性能,支持现代服务器不断增长的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 层技术,与DDR4相比,该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块(DIMM)还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s,专门用于

2020-02-16 标签:三星电子DDR5 2090

凭借BiCS5 3D NAND技术西部数据进一步增强其存储领...

BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺,是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。

2020-02-10 标签:NAND西部数据 1317

美光宣布已交付全球首款量产的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

人工智能在越来越多的应用中被广泛部署,这需要先进的内存解决方案,以确保更快速、更有效的数据访问。美光 LPDDR5 能够为直接构建在移动设备处理器中的人工智能引擎提供所需的速度和容量。

2020-02-07 标签:美光DRAM芯片DDR5 1559

三星电子推出业界首款符合HBM2E规范的内存——Flashb...

三星电子宣布推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。它是第二代Aquabolt的后继产品,具有16GB的两倍容量和3.2Gbps的更高稳定传输速度。

2020-02-05 标签:DRAM三星电子内存 1722

英韧科技Rainier固态硬盘控制芯片带来超7GB/s吞吐量

英韧科技Rainier固态硬盘控制芯片带来超7GB/s吞吐量...

2020-01-26 标签:固态硬盘 2569

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