飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
2012-08-10 09:58:12
913 恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性，与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积，从而能大幅降低总成本。
2013-03-08 12:41:542961 安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷。
2020-02-26 08:17:001691 节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能
2021-02-23 10:03:321096 `恩智浦半导体在众多半导体产品市场长期位于领先的位置，恩智浦半导体具有非常丰富的通用MICR产品系列，从经典的8位/16位，数字信号控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
半导体泵浦固体激光器的种类很多，可以是连续的、脉冲的、调Q的，以及加倍频混频等非线性转换的。工作物质的形状有圆柱和板条状的。
2020-03-10 09:03:12
和飞思卡尔各自的产品、目标行业、半导体产业以及竞争对手带来哪些影响呢?我们目前还不能得到准确答案，但是希望能从对两家公司的十大对比中，让你看出一些端倪。 1.优势产品 恩智浦 微控制器、射频
2015-12-07 14:50:33
支持尾链中断（Tail chaining）和后到（Late arriving）中断。 2009年，恩智浦半导体发布了LPC1100家族中的第一款产品，也是首款基于Cortex-M0内核的微控制器
2010-11-29 15:04:02
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 编辑
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布，其PN544近距离无线通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性。 恩智浦半导体于2017年开始推出的i.MX RT系列重新定义了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日为时尚、零售和电子市场推出了其最新的UHF解决方案。基于结构简单、经济高效的单天线解决方案，UCODE G2iL和G2iL+不仅实现了行业领先
2019-08-01 08:28:10
导读：日前，恩智浦半导体（以下简称“NXP”）对外发布一款用于X电容的自动放电IC--TEA1708.此器件拥有的自动放电功能加上抵抗电压浪涌的高度耐用性，轻易的满足了新的电源规范要求，成为电源
2018-09-28 16:25:19
所在各类半导体功率器件中，未来增长强劲的产品将是 MOSFET 与 IGBT 模块。目前，全球功率半导体市场仍由欧美日企业主导，其中英飞凌以 19%的市占率占据绝对领先地位。全球功率半导体前十名供应商
2022-11-11 11:50:23
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
优恩半导体32D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。极限峰值浪涌电流额定值可达30ka (8/20 μs脉冲)，以防止包括间接雷击干扰
2023-06-14 10:52:47
Power SO-8LFPAK封装60V和100V晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶体管，扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装，支持60 V和100 V两种工作
2010-02-09 09:27:392203 with state of the art Trench 6 silicon technology - Smaller : Power-SO8 form factor LFPAK - Faster : Best in class switching performance - Co
2011-03-30 15:50:33
0 恩智浦半导体业界首款Doherty架构超宽带射频解决方案和双通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分别荣获业界殊荣，摘得由环球资源（Global Sources）旗下《电子工程专辑》于今
2013-03-15 16:12:33505 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。
2020-05-09 11:07:263164 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、6.8 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN6R8-40HS
2023-02-07 20:31:400 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、31 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN033-100HL
2023-02-08 19:06:410 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET，使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、11.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、7.2 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL
2023-02-08 19:07:440 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、9.4 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-40HL
2023-02-08 19:08:000 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、14 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、10 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、9.3 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、45 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:020 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、29 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、37.6 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:300 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、27.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 100 V、24.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:590 采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、8.5 mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:120 采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、13.6 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 双 N 沟道 40 V、13 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:550 双 N 沟道 40 V、4.2 mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060 LFPAK56D 中的双 N 沟道 40 V、13 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-40H
2023-02-16 21:23:330 LFPAK56D（半桥配置）中的双 N 沟道 40 V、13 mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、35 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K35-60RA
2023-02-17 19:06:540 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、55 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K52-60RA
2023-02-17 19:07:050 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 40 V、29 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K25-40RA
2023-02-17 19:07:210 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、12.5 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-60RA
2023-02-17 19:07:320 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、7.0 mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:220 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、6.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:590 LFPAK56E 中的 N 沟道 40 V、0.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
2023-02-20 19:32:070 LFPAK56E 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7J1R4-40H
2023-02-21 18:48:430 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.4 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.9 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:250 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.4 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:560 LFPAK56E 中的 N 沟道 40 V、1.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7J1R0-40H
2023-02-21 18:50:140 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:370 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:000 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、1.7 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、2.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:010 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.0 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:060 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、153 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:420 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:160 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:580 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、22 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:460 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:181 LFPAK56 中的 N 沟道 40 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、10 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、12 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、13 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:070 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、14 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、15 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、19 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、21 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、25 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、4.1 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:300 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.2 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:440 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、5.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:070 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 LFPAK56 中的 N 沟道 100 V、37.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 LFPAK56 中的 N 沟道 80 V、41 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 LFPAK56 中的 N 沟道 60 V、7.5 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:190 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、9 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32565 电子发烧友网站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N沟道MOSFET LFPAK56包装产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:42:000 电子发烧友网站提供《双N沟道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D（半桥配置）产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 14:31:020
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