明年10nm手机芯片高通835/麒麟970/HelioX30谁称雄？

2017年将近，在手机市场不景气的背景下，上游手机厂商也在力拼高端市场。高通下一代骁龙835细节已经泄露，三星Exynos8895的更多消息也流出，加上备受关注的海思麒麟970和联发科Helio X30，明年的高端手机芯片市场会不会有大的变化？

就在近日，有关高通新一代骁龙系列旗舰芯片 Snapdragon 835（MSM8998）的部分细节悄然被泄露出来，对此很多机友已经开始 YY 下一部三星旗舰手机 Galaxy S8 了。毕竟之前很多报道称，明年 MWC 2017 世界移动通信大会上三星所发布的 Galaxy S8 将会是第一款搭载 Snapdragon 835 处理器的智能手机。 需要注意的是，今年三星旗舰 Galaxy S7，搭载了高通今年旗舰芯片 Snapdragon 820 ，不过也有一部分采用的是自家的 Exynos 8890 处理器。

因此，不出意外的话，三星下一代旗舰 Galaxy S8 也会延续同样的策略，而且据称三星 Exynos 8895 或全新的 9xxx 系列芯片已经在开发当中了。那么，高通和三星的两个新的旗舰芯片，进行对比的话情况会如何呢？

我们先来回顾一下 Snapdragon 835 泄露的一些信息，该芯片基于三星的 10 纳米 FinFET 工艺制造，将会是一枚八核处理器，因为配置了 8 个定制的 Kryo 200 CPU 内核，还集成有 Adreno 540 GPU 和 X16 调制解调器，届时与之搭配的将是 LPDDR4X 内存和 UFS 2.1 储存。从这些信息来看，Snapdragon 835 似乎回归到了与三星 Exynos 相同 big.LITTLE 设计。

虽然有关高通和三星旗舰的细节都仍未获得证实，但此前有关传闻称，三星 Exynos 8895 芯片将拥有比 Exynos 8890 更高的频率，大内核的频率达到 3GHz，小内核则是 2.7GHz，尚不清楚三星是否继续使用定制的 M1 CPU 内核，说不定三星也可能回归到公版的 ARM Cortex 解决方案。不过，几乎可以肯定的是，三星将依靠自己的 10 纳米 FinFET 工艺制造芯片。

另外，三星的新旗舰芯片还有望配备了 ARM 最新的 Mali-G71 GPU。若是如此，相比今年 Exynos 8890 的 Mali-T880 GPU 将可提供高达 80％ 以上的性能提升，并进一步增强对 4K 内容和显示屏的支持。当然了，Mali-G71 并非三星专利，华为海思麒麟 960 发布时已首次亮相。

还有一种可能就是，Exynos 8895 只是三星例行的增强版而已，真正的新旗舰芯片会是 Exynos 9xxx 系列，同样提供了 70% 左右的图形处理性能提升，目的是服务于双摄像头配置。最近的消息还显示，三星希望能够将 Shannon 调制解调器集成到芯片内部，与高通形成直接竞争，毕竟高通的长期优势就是集成了 X 系列调制解调器。

三星可能会对 Shannon 359 调制解调器非常感兴趣，因为同时支持 LD-LTE、LTE FDD、TD-SDCMA、WCDMA、CDMA 和 GSM 等网络制式，相当于为全网通。所以，三星只要完成集成，不依赖高通也能够实现所有的 Galaxy 旗舰标配 Exynos 处理器。不过，Shannon 359 在 2017 年第三季度之前难以出货，Galaxy S8 还是无法避开高通芯片。

总之，三星半导体部门正变得越来越强大，而且作用越来越重要，高通芯片也由三星代工，所以三星不会错过任何展示 Exynos 新旗舰芯片的任何机会，特别是借助 Galaxy S8 直接与 Snapdragon 835 进行对比。