普冉半导体推出P24C系列高可靠EEPROM产品

近日，普冉半导体推出创新的 P24C系列高可靠 EEPROM 产品，应下游客户及市场需求，公司该新款系列产品可达到 1000万次擦写寿命，是公司为电表市场开发的超群产品，达到目前行业领先的擦写次数。

P24C系列产品基于 95nm 及以下工艺，具备低功耗、超宽压覆盖、高可靠等特性，满足擦写寿命 1000万次，数据保存 100年的高可靠性要求，产品性能达到业界领先水平，可用于电表及其他高可靠性产品领域。

P24C系列产品的特点：

存储器容量：512Kbit~1Mbit

工作电压范围：1.7V~5.5V

工作温度范围：-40℃~125℃

擦写功能带纠错码（ECC）

擦写寿命：1000万次

数据保存年限：100年

封装支持：PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5

EEPROM 是一种通用型非易失性存储芯片，由于其低功耗、高灵活性、强可靠性等特点，被广泛应用于存储小规模、经常需要修改的数据存储，应用于智能手机、服务器、PC、BLE / WIFI 模块、汽车电子、面板、家电、工控等下游领域。

普冉半导体在 EEPROM 领域，已深耕近十年。2014年，公司前身无锡普雅半导体完成首颗 256Kbit、512Kbit EEPROM 的研发和流片。2021年，公司车规级 EEPROM 获得 AEC-Q100 认证，进入海内外知名车厂。截至目前，公司 EEPROM 产品已经做到 2Kbit-4Mbit 的全容量覆盖，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，同时支持 SOP / TSSOP / DFN 等传统封装及 WLCSP 等芯片级封装形式，能够满足不同应用领域对容量和封装的需求。

公司在 EEPROM 领域已经形成比较完整的系列产品布局，并持续在工艺制程和存储单元等维度实现技术迭代，提升产品的性价比和市场竞争力。

工艺制程方面，公司持续针对存储单元的结构、擦写电压进行改造和优化，在不牺牲可靠性指标的前提下，不断缩小存储单元的尺寸，单颗芯片具备更高的性价比。公司已从第一代 130nm 产品迭代到新一代的 95nm 及以下产品，并于 2020年实现量产。

产品功能方面，普冉半导体实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中的存储的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，数据保持时间超过 100年。

公司拥有超大容量的EEPROM系列产品，支持SPI/I²C接口和最大 4Mbit 容量，其中 2Mbit 产品批量用于高速宽带通信和数据中心。同时，公司推出的超低电压 1.2V 系列 EEPROM 已实现量产出货，涵盖 32Kbit 至 512Kbit，是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。

相比上一代 500万次擦写的产品，普冉半导体本次推出的新产品可以更灵活的更新修改，同时具备更长的使用寿命，也一定程度体现了公司在工艺和设计水平上的持续突破。

公司未来将在非易失存储器领域以新工艺节点、宽电压覆盖、高速、高可靠等性能为发展方向，以高可靠工控和车规为持续的重点拓展方向，进一步扩展系统级存储器产品线，不断获得突破和领先优势。

文章来源 | 普冉半导体

审核编辑：汤梓红