本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析,描述了这些技术的现状,重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:57
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基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍,比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:11
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:36
6224 深圳市三佛科技有限公司供应2SA1943 大功率功放管PNP型高压晶体管,原装现货
2SA1943是一款PNP型高压晶体管,专为低频或音频放大,直流转直流转换器,其他高功率电路,其电压-集电极
2025-06-05 10:18:15
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因,介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态,对GaN 调制掺杂场效应晶体管(MODFETs)的工作原理以及特性进行了具体分析,并同其他微波器件进行了比较,展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率器件从整体上可以分为不可控器件、半可控器件和全可控器件。
2019-09-17 09:01:55
1200AC:脉冲恒流源50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围0~8VF:电脑图形显示界面G:被测量器件智能保护二:应用范围A:大功率IGBT(双极型晶体管)B:大功率场效应管
2015-03-11 13:51:32
与小功率TVS管有何区别等等问题。小编今天带来的是大功率TVS管方方面面知识,一起来看看吧。何为大功率TVS二极管?TVS二极管,是一种新型高效电路保护器件,凭借快速响应时间、大瞬态功率、低漏电
2018-09-27 17:36:26
全国电子设计比赛要到了,不知道要备些哪些芯片,不管赛题类型。大功率的电子元器件怎么理解?大功率的电子元器件有哪些?
2015-06-03 18:13:47
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下,所有设备都在宽带RF测试夹具中100%屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100%大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件,设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时,该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管,该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时,该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10%占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管,专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20%的占空比工作,在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
,维修费用高,器件参数把控难,供货时间长等因素都应该在产品化时慎重考虑。尽管普通晶闸管存在关断困难的缺点,如果能够加以解决,仍然是近期大功率斩波应用的主导方向,理由是普通晶闸管的其它优点是晶体管无法替代的。
2018-10-17 10:05:39
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
,装在基于金属的封装中,并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100%大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时,重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件,因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是
2018-11-28 14:34:33
,GaN完胜。块体GaN电子迁移率是硅的两倍多,而二维电子气形态的GaN电子迁移率则是硅的四倍。正如GaN具有高临界击穿电场和高热导率,GaN也具有远高于硅的载流子饱和速度。 透明晶体管的障碍
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位,但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率,但软开关转换器(如LLC)对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
650V的MOSFET。根据应用程序的要求,开发人员可以针对最高效率,最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为,GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用,例如图腾柱PFC,其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
,在这种情况下采用基于氮化镓(GaN)晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似,GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制,单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率,并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
大功率容量等特点,成为发较快的宽禁带器件。GaN功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势,已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好
2017-06-16 10:37:22
大功率的电子元器件怎么理解?大功率的电子元器件有哪些?
2019-02-15 06:36:33
高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子制造业,所应用的产品包括计算机领
2009-04-27 17:04:38
24 大功率开关晶体管的重要任务
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;
(1)容易关断,所需要的辅
2010-02-06 10:23:49
43
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
摘要:介绍了大功率晶体管(GTR)基极驱动电路的设计,分析了基极驱动电路的要求
2009-07-09 10:36:40
4644 
大功率开关—晶体管的重要任务
(一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;
(1)容易关断,
2009-07-29 16:09:52
2117 
大功率晶体管的修理
2009-08-22 16:08:06
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TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
0 引言
TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管
2009-12-24 17:04:56
12279 
加速寿命试验广泛地用于在短时间内预测元器件的寿命。本文介绍用步进应力加速寿命试验估计 大功率晶体管 的激活能和寿命。本试验采用温度斜坡模型,试验结果在和经验数据做比
2011-07-23 11:23:33
50 晶体管,大功率,晶体管参数NPN型、大功率开关管、音频功放开关、达林顿、音频功放开关。
2015-11-09 16:22:15
0 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
17 埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管,用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。
2018-09-30 16:41:00
3380 大功率NPN硅晶体管BUX98/BUX98A数据手册
2021-08-11 14:14:11
0 硅NPN大功率晶体管2SC2246中文手册免费下载。
2022-03-21 17:21:53
13 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11
978 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:15
0 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:41
0 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:31
0 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:42
0 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C
2023-02-16 20:29:07
0 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C
2023-02-16 20:29:21
0 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873
2023-02-16 20:44:11
0 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148
2023-02-16 20:44:24
0 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:24
0 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:30
0 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:43
0 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31C
2023-02-17 19:30:10
1 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:12
0 NPN/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:00
0 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:19
0 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:38
1 80 V、8 A PNP 大功率双极晶体管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:39
0 80 V、8 A NPN 大功率双极晶体管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:02
1 60 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:05
0 60 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:17
0 40 V、15 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:27
0 40 V、15 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:41
0 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:19
0 100 V、3A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61003PY
2023-02-27 18:49:42
0 PNP/PNP匹配大功率双双极晶体管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:02
0 PNP/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:15
0 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:31
0 100V、2A NPN大功率双极晶体管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:45
1 60 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:56
0 60 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:08
0 60 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:28
1 60V、3A NPN大功率双极晶体管-PHPT60603NY
2023-02-27 18:51:45
0 40 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:01
0 40 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:17
0 大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率电子技术)领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作,通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
2023-03-01 09:39:24
2247 大功率晶体管的放大倍数取决于其特定的设计和工作条件,因此不能一概而论。晶体管的放大倍数(即电流增益)通常定义为晶体管输出电流与输入电流之比,用β表示。β的大小受到晶体管的结构、工作电流、温度等因素
2023-03-01 14:06:59
4137 100 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:57
0 100 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:12
0 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:27
0 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:39
0 40 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:57
0 40 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:14
1 100 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:25
0 LFPAK56 中的 NXP 大功率双极晶体管替代继电器-AN11641
2023-03-03 19:59:43
0 森国科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:13
1041 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比,GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(
2023-08-03 14:43:28
694 GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细,融合了多种材料和工艺,以实现高效、高频率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:06
3439 GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性,使得GaN晶体管成为电力电子和高频通信等领域的优选器件。以下将详细阐述GaN晶体管的主要应用场景,并结合具体实例进行说明。
2024-08-15 11:27:20
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