三极晶体管电路设计的特性和特点分析

晶体管的设计是要注意设计的特点的，根据电路设计的原理和理论知识来进行设计。晶体管的电路合计方法比较多，但是都是要注意按照电路设计的理论知识来进行。所以对于电路设计专业的人士来讲，一定要学好专业的知识，对于自己日后的工作和生活都是有很大的帮助的。下面我们来详细的了解一下三极晶体管电路设计的特性和特点有哪些。

三极晶体管电路设计输出特性曲线（共发射极），晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。

三极管有三个区、三个电极。其中基区（三极管中间的一层薄半导体）引出基极b;两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。

基极电流Ib一定时，晶体三极管的Ic和Uce之间的关系曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic（mA）为纵坐标，以Uce（V）为横坐标给出，图上的点表示了晶体管工作时Ib、Uce、Ic三者的关系，即决定了晶体三极管的工作状态。从曲线上可以看出，晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区：Uce很小，Ic很大。集电极和发射极饱和导通，好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区：在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化，晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制，曲线也较为平直，此时管子的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。截止区：Ib=0，Ic极小，集电极和发射极好像断路（称截止），管子的发射结、集电结都处于反向偏置。

现在大家对于三极晶体管电路设计的特性和特点有了基本的了解，电路的设计是要注意科学的进行设计的。