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三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品

三菱电机半导体 来源:三菱电机 2024-12-25 15:59 次阅读
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三菱电机集团近日宣布,将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块样品,这两款模块额定电压均为1.7kV,适用于铁路车辆和直流输电等大型工业设备。得益于三菱电机专有的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片和绝缘结构,新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻,有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。

凭借高效的电能转换能力,功率半导体正越来越多地被用于助力实现更加低碳的社会。功率半导体模块可用于大型工业设备的电力转换装置,如铁路牵引系统、电源和直流输电中的逆变器。为进一步提高电力装置转换效率,市场对高功率、高效率功率半导体的需求日益增长。此外,功率半导体模块还必须具有高绝缘电压能力以确保可靠性,降低逆变器内部发生短路和泄漏电流的风险,从而提高安全性。

三菱电机的1.7kV HVIGBT模块自1997年发布以来,凭借其卓越的性能和高可靠性而广受好评,并已广泛应用于电力系统的逆变器中。

新的S1系列模块采用了三菱电机专有的RFC(Relaxed Field of Cathode)二极管,与之前的型号*相比,反向恢复安全工作区(RRSOA)扩大了2.2倍,从而提高了逆变器的可靠性。此外,该模块还使用了具有载流子存储式沟槽栅双极型晶体管(CSTBT**)结构的IGBT芯片,有助于降低功率损耗和热阻,使逆变器更加高效。而且,三菱电机专有的绝缘结构将模块的绝缘电压提高到了6.0kVrms,是之前产品*的1.5倍,使模块的绝缘能力可以灵活的兼容多种类型的逆变器。

产 品 特 点

专有RFC二极管和IGBT元件,以及CSTBT结构,实现可靠高效的逆变器

采用专有RFC二极管,与现有型号*相比,反向恢复安全工作区(RRSOA)提高了2.2倍,从而提升了逆变器的可靠性,扩大了在开关过程中反向恢复电流和反向电压的安全工作保证范围。

采用RFC二极管与CSTBT结构IGBT芯片,可降低功率损耗和热阻,进而提高逆变器的效率。

1.5倍更高的绝缘电压,兼容多种逆变器

三菱电机专有的绝缘结构将绝缘电压提高到6.0kVrms,是现有产品*的1.5倍,从而提高了绝缘设计的灵活性,以兼容多种类型的逆变器。

与现有产品*尺寸兼容,简化逆变器设计

通过保持与现有产品*相同的外部尺寸,功率模块可以轻松替换,从而简化和缩短新逆变器设计的过程。

主要规格

f2d5953c-c28e-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

* 与CM1200DC-34N、CM1200E4C-34N和CM1200DC-34S相比较

** 三菱电机专有的具有载流子存储效应的IGBT芯片结构

*** CSTBT是三菱电机株式会社的商标

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截至2024年3月31日的财年,集团营收52579亿日元(约合美元348亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

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原文标题:【新品】三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品

文章出处:【微信号:三菱电机半导体,微信公众号:三菱电机半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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