深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT3520J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-18 16:08

  

  选型手册：MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性，适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压

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• 选型手册：MOT5146T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-18 16:04

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5146T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借4.5mΩ超低导通电阻、250A超大电流承载能力及先进沟槽单元设计，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：1

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• 选型手册：MOT8120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-18 15:58

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1.5mΩ超低导通电阻、280A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)

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• 选型手册：MOT65R180HF N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-18 15:39

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

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• 选型手册：MOT65R380F N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-18 15:32

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{

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• 选型手册：MOT4633G 互补增强型 MOSFET 晶体管2025-11-17 14:43

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P互补增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道单元，凭借先进沟槽设计、低导通电阻及低热阻特性，适用于电机驱动、DC-DC转换器等场景。一、产品基本信息器件类型：N+P互补增强型MOSFET（同时集成N沟道与P沟道单元）核心参数：N沟道：漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：40V；导通电阻（\(R_{DS(on

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• 选型手册：MOT2N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-17 14:37

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及TO-220F封装适配性，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电系统；导通电阻（\(R_

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• 选型手册：MOT4529J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-17 11:27

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性，适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：MOT3650J N+P 增强型 MOSFET 晶体管2025-11-14 16:12

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道单元，凭借超低导通电阻、低栅极电荷特性，适用于计算设备电源管理、负载开关、快速无线充电、电机驱动等场景。一、产品基本信息器件类型：N+P增强型MOSFET（同时集成N沟道与P沟道单元）核心参数：N沟道：漏源耐压（\(BV_{DSS}\)）：30V；导通电阻（\(R_{D

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• 选型手册：MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-14 16:04

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-沟道增强型功率MOSFET，凭借-20V耐压、低导通电阻及高效功率处理能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型：P-沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：-20V，适配低压负电源供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

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