深圳市首质诚科技有限公司文章

• MOT6586T N 沟道 MOSFET 技术解析2025-10-27 10:49

  

  一、产品概述MOT6586T是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TOLL-8L表面贴装封装，基于超级沟槽（SuperTrench）工艺设计，聚焦大功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等高功率密度场景，具备超低导通损耗、超大电流承载能力与高可靠性的技术优势。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（V₍ₛₛ₎）最大25V，连续漏极电流（I

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• MOT4162G N 沟道 MOSFET 技术解析2025-10-27 10:34

  

  一、产品概述MOT4162G是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用PDFN506-8L封装形式，聚焦电机控制与驱动、电池管理等场景，以低导通电阻、优异散热性能和高可靠性为核心技术亮点，且符合RoHS和无卤环保标准。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（V₍ₛₛ₎）最大40V，连续漏极电流（I₍D₎）达45A（25℃下），脉冲漏极电流

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• MOT1514J N 沟道 MOSFET 技术解析2025-10-24 16:21

  

  一、产品概述MOT1514J是仁懋电子（MOT）推出的N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，聚焦计算设备电源管理、快速/无线充电、电机驱动等场景，以超低导通电阻、低栅极电荷为核心技术亮点，且采用无铅镀层工艺，满足环保合规要求。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（V₍ₛₛ₎）最大100V，栅源电压（V₍₉ₛₛ₎）最大±20V

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• MOT3712J P 沟道 MOSFET 技术解析2025-10-24 15:59

  

  一、产品概述MOT3712J是仁懋电子（MOT）推出的P沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，具备高功率与电流处理能力，聚焦PWM控制、负载开关、电源管理等场景，以低导通损耗、小型化封装为核心技术亮点，且为无铅产品，满足环保合规要求。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（V₍ₛₛ₎）最大-30V，栅源电压（V₍₉ₛₛ₎）范围±

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• MBR10200A 肖特基势垒整流器技术解析2025-10-24 11:27

  

  一、产品概述MBR10200A是仁懋电子（MOT）推出的10A肖特基势垒整流器，具备低正向压降、高浪涌电流容量等技术特性，适配TO-220、TO-220F、TO-263多种封装形式，聚焦高效整流、高可靠性功率转换场景，可满足工业设备、消费电子等领域对电能转换效率与稳定性的双重需求。二、核心参数与技术价值电压承载能力：峰值反向电压（VR）达200V，可在200

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• MOT3910J 双 N 沟道增强型 MOSFET 技术解析2025-10-24 11:14

  

  一、产品定位与结构MOT3910J是仁懋电子（MOT）推出的双N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3封装形式，将两只N沟道MOSFET集成于单颗芯片内，适配高频功率转换、同步整流等对空间与性能均有要求的场景，在小型化布局中实现双路功率控制。二、核心参数与技术价值电压电流特性：漏源电压（VDS）最大30V，栅源电压（VGS）最大20V；连续漏极电流（ID

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• MOT2165J N 沟道 MOSFET 技术解析2025-10-24 10:22

  

  MOT2165J是仁懋电子（MOT）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3封装形式，聚焦于功率开关控制、笔记本核心供电等场景，以低导通损耗、快速开关特性和小型化封装为核心技术亮点。一、核心参数与技术意义电压电流特性：漏源电压（VDS）最大20V，适配20V及以下低压电路；连续漏极电流（ID）达55A，脉冲漏极电流（IDM）可至200A，能满足

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• MOT2045D 20A 肖特基势垒整流器技术解析：高效整流的可靠之选2025-10-23 17:32

  

  在开关电源、高频整流等高效电力电子场景中，肖特基整流器凭借低正向压降、快开关速度的优势成为核心器件之一。本文针对仁懋电子（MOT）的MOT2045D型号，从参数特性、工艺设计到应用场景展开深度剖析，为高效整流系统设计提供技术参考。一、产品定位与封装设计MOT2045D是一款20A肖特基势垒整流器，采用TO-252封装，包装规格为2500片/卷，适配规模化生产

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• MOT8576T N 沟道 MOSFET 技术解析：大功率场景的性能标杆2025-10-23 11:23

  

  在大功率电力电子系统中，MOSFET的电流承载能力、导通损耗与热管理能力直接决定系统的可靠性与能效。本文聚焦仁懋电子（MOT）的MOT8576T型号，从参数特性、工艺设计到应用场景展开深度剖析，为大功率系统设计提供技术参考。一、产品定位与封装设计MOT8576T是一款N沟道增强型MOSFET，采用表面贴装封装，集成先进沟槽单元（Supertrench）与to

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• MOT3150J N 沟道 MOSFET 技术解析：参数、特性与应用场景2025-10-23 11:17

  

  在中低压功率转换与高频开关领域，N沟道MOSFET的性能直接决定系统能效与可靠性。本文针对仁懋电子（MOT）的MOT3150J型号，从电气参数、特性优势到实际应用场景展开深度剖析，为工程师选型与系统设计提供技术参考。一、产品基本定位与封装设计MOT3150J是一款N沟道增强型MOSFET，采用PDFN3X3-8L封装形式，包装规格为5000片/卷，适配高密度

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