苏州埃利测量仪器有限公司

动态

• 发布了文章 2025-09-29 13:45

  从实验室到应用：半金属与单层半导体接触电阻的创新解决方案

  

  金属-半导体界面接触电阻是制约半导体器件微缩化的关键问题。传统金属（如Ni、Ti）与二维半导体接触时，金属诱导带隙态（MIGS）导致费米能级钉扎，形成肖特基势垒。现有策略（如重掺杂或插入介电层）在二维材料中效果有限。本研究提出利用半金属铋（Bi）与单层过渡金属硫属化合物（TMDs）接触，借助Xfilm埃利TLM接触电阻测试仪，结合半金属（铋，Bi）的独特电子

  半导体 实验室 接触电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:45

  基于四点探针和扩展电阻模型的接触电阻率快速表征方法

  

  接触电阻率（ρc）是评估两种材料接触性能的关键参数。传统的传输长度法（TLM）等方法在提取金属电极与c-Si基底之间的ρc时需要较多的制造和测量步骤。而四探针法因其相对简单的操作流程而备受关注，但其广泛应用受限于所需的3D模拟数据拟合过程。本文通过引入结合Xfilm埃利四探针方阻仪与扩展电阻模型（SRM）的方法快速准确的提取ρc。四点探针法基础/Xfilm四

  TLM 探针 接触电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:45

  非局域四探针法：超导薄膜颗粒度对电阻特性的影响机制解析

  

  技术支持：4009926602超导薄膜的微观不均匀性（颗粒度）是影响其宏观性能的关键因素。在接近临界温度（T ᶜ）时，传统四探针法常观测到异常电阻峰，这一现象长期被误认为材料本征特性。然而，研究表明，此类异常可能源于超导参数的局部差异（如T ᶜ和ΔT ᶜ的非均匀分布）导致的电流重分布效应。本文通过构建非局域四探针模型，结合实验与磁场调控，系统解析了电阻峰的物

  测量 电阻特性 薄膜

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• 发布了文章 2025-09-29 13:45

  基于传输线法TLM与隔离层优化的4H-SiC特定接触电阻SCR精准表征

  

  4H-碳化硅（4H-SiC）因其宽禁带（3.26eV）、高热导率（4.9W·cm⁻¹·K⁻¹）和高击穿场强（2.5MV·cm⁻¹），成为高温、高功率电子器件的核心材料。然而，其欧姆接触的精准表征面临关键挑战：商用衬底的高掺杂特性导致电流扩散至衬底深层，使得传统传输线法（TLM）测得的特定接触电阻（SCR）显著偏离真实值。本研究结合Xfilm埃利TLM接触电阻

  SCR SiC 接触电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:45

  石墨烯量子霍尔态中三阶非线性霍尔效应的首次实验观测与机制解析

  

  量子霍尔效应（QHE）是二维电子系统在强磁场下的标志性现象，其横向电阻（Rxy）呈现量子化平台（h/(νe²)），而纵向电阻（Rxx）趋于零。传统研究集中于线性响应，高阶非线性响应在量子霍尔态（QHS）中的存在性长期未被探索。经典与量子体系中线性霍尔效应及非线性霍尔效应的示意图本研究基于霍尔效应测试仪HMS-3000的高精度测量能力，结合谐波检测技术，在单层

  测量 电阻 霍尔效应

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• 发布了文章 2025-09-29 13:44

  消除接触电阻的四探针改进方法：精确测量传感器薄膜方块电阻和电阻率

  

  方块电阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在传感器设计中，不同条件下的方块电阻变化是感知测量的基础。但薄膜材料与金属电极之间的接触电阻会显著影响测量精度，甚至导致非线性肖特基势垒的形成，进一步降低传感器性能。传统两端子测量方法因接触电阻难以控制或减小，导致系统误差不可忽视。本文提出一种四探针改进的四端子方法，通过多次电阻测量和简单代数计算并结合Xfilm埃利四探

  传感器 接触电阻 薄膜

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• 发布了文章 2025-09-29 13:44

  非接触式发射极片电阻测量：与四探针法的对比验证

  

  发射极片电阻（Remitter）是硅太阳能电池性能的核心参数之一，直接影响串联电阻与填充因子。传统方法依赖物理接触或受体电阻率干扰，难以满足在线检测需求。本文提出一种结合涡流电导与光致发光（PL）成像的非接触式测量技术，通过分离Remitter与体电阻（Rbulk），实现高精度、无损检测。实验验证表明，该方法与基于四点探针法（4pp）的Xfilm埃利在线四探

  电阻测温 电阻率

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• 发布了文章 2025-09-29 13:44

  面向硅基产线：二维半导体接触电阻的性能优化

  

  随着硅基集成电路进入后摩尔时代，二维过渡金属硫化物（TMDCs，如MoS₂、WS₂）凭借原子级厚度、优异的开关特性和无悬挂键界面，成为下一代晶体管沟道材料的理想选择。然而，金属电极与二维半导体间的接触问题一直是制约其发展的核心障碍——接触电阻过高（>800Ω·μm）、费米能级钉扎（FLP）效应严重、纳米尺度接触稳定性不足，难以满足先进工艺节点需求（IRDS标

  半导体 接触电阻 集成电路

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• 发布了文章 2025-09-29 13:44

  石墨烯超低方阻的实现 | 霍尔效应模型验证

  

  石墨烯因其高载流子迁移率（~200,000cm²/V·s）、低方阻和高透光性（~97.7%），在电子应用领域备受关注。然而，单层石墨烯的电学性能受限于表面掺杂效应（如PMMA残留或环境吸附物引起的p型掺杂）和衬底散射效应。多层石墨烯（MLG）通过增加层数可提升机械稳定性和电学性能，但其层间界面性质（如载流子密度、迁移率分布）显著影响整体性能。传统理论认为，M

  石墨烯 霍尔效应

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• 发布了文章 2025-09-29 13:44

  NiCr薄膜电阻优化：利用铝夹层实现高方块电阻和低温度电阻系数

  

  随着系统集成封装（SIP）技术发展，嵌入式薄膜电阻需同时满足高方块电阻（>100Ω/sq）和近零电阻温度系数（│TCR│当tAl>7.5nm时，Al层成为主要导电通道，导致Rs下降。电阻温度系数TCR调控：Al夹层使TCR随tAl增加呈现“先降后升”趋势，在tAl=7.5nm时达到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工艺的界

  温度电阻率 薄膜电阻

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