苏州埃利测量仪器有限公司

动态

• 发布了文章 2026-07-28 18:03

  石英衬底PECVD石墨烯生长与四探针方阻精准表征测量

  

  金属衬底上长完石墨烯再转移，裂纹和残留几乎躲不开。界面热阻跟着上来，方阻一散，加热就容易出现局部过热或加热不足。透明加热器最怕这种不均匀。直接在石英上低温生长，等于把转移这一步砍掉。方阻成了判断电热性能的核心入口，测得准不准，直接决定工艺能不能稳住。Xfilm埃利四探针方阻仪把电流与电压路径彻底分开，量程覆盖1mΩ到100MΩ，还能自动扫点做全片mappin

  PECVD 测量

  123浏览量

• 发布了文章 2026-07-23 18:04

  0.7纳米挡住铜扩散：单层WS₂把互连阻挡层厚度砍掉八成

  

  铜互连走到5纳米节点以下，阻挡层和衬层成了最头疼的瓶颈。工业界用的TaN/Ta阻挡层加起来要4到6纳米厚，占掉互连截面面积不说，铜线越细，阻挡层占比越高，有效导电截面被严重蚕食。本文用原子层沉积生长单层二硫化钨当双功能阻挡层兼衬层，厚度不到1纳米，让10纳米厚铜膜的电阻率比无衬层参考样品低了六个数量级。这种超薄二维材料界面的方阻测量，正好是Xfilm埃利四探

  材料 电阻

  172浏览量

• 发布了文章 2026-07-21 18:05

  四探针法测量透明薄膜电极修正因子研究：ITO与PEDOT:PSS尺寸效应

  

  薄膜电阻测试是评价透明导电膜、半导体薄膜及光伏电池电极性能的核心环节。四探针法将电流注入与电压检测分离，有效降低了接触电阻干扰，已成为薄层电阻和电阻率测量的常用手段。实际测试并非理论模型那样简单。样品尺寸、探针位置和薄膜厚度均会改变电流扩散路径，引起系统偏差。尤其在微型透明电极和柔性薄膜检测中，修正因子C的准确性直接决定了方阻计算的可靠性。Xfilm埃利四探

  ITO 测量 电极

  304浏览量

• 发布了文章 2026-07-16 18:03

  GaN外延方阻与接触电阻精准测量：干法刻蚀图形替代退火，三种衬底通吃

  

  氮化镓高电子迁移率晶体管外延片的方阻和载流子迁移率，是决定器件性能的核心参数。产线上用Xfilm埃利四探针方阻仪做快速非破坏方阻mapping，几秒出一个点，适合批量抽检。但四探针测的是面电阻，拿不到载流子浓度和迁移率——这两个参数得靠范德堡霍尔测量。问题来了：范德堡样品要蒸金属电极、高温退火形成欧姆接触，退火温度拿捏不好就会改变2DEG本来面目。本文发表了

  GaN 测量 电阻

  194浏览量

• 发布了文章 2026-07-14 18:04

  四探针测量法解析：金属小样品电阻率高精度测试方法

  

  实验室切割出一块纯铁薄片，宽度刚好3毫米。探针压上去，四探针方阻仪跳出的数值却比预期高出近20%。尺寸一缩减，电流路径就不再均匀，电场畸变把数据直接拉偏。小样品电阻率精确测量，一直是半导体扩散、光伏电池片和薄膜研发里最头疼的事。Xfilm四探针方阻仪在类似场景中，通过电流模式和尺寸修正，把偏差控制在了可接受范围。四探针方阻仪的工作原理与小样品挑战/Xfilm

  测试 测量 电阻率

  178浏览量

• 发布了文章 2026-07-09 18:03

  7万组数据挖出合金电阻率第一法则：价电子浓度压倒电负性和混合熵

  

  合金的电阻率到底由什么决定？这个问题困扰了材料人很久。Drude模型说电阻率跟电子密度和弛豫时间成反比，Matthiessen法则把各种散射事件加起来求和——理论上框架在那儿，但面对高浓度固溶体和复杂成分合金时，经典模型就开始力不从心了。本文用磁控共溅射结合组合材合成方法，制备了6种纯金属、7种二元和30种三元体系的薄膜合金，通过高通量四探针测量获取了超过7

  机器学习 测量 电阻率

  181浏览量

• 发布了文章 2026-07-07 18:05

  退火时间对磁控溅射Au-Ni-Cr金基涂层电阻率与耐磨性能的影响

  

  技术支持：4009926602航天导电滑环、新能源旋转连接器以及高可靠电子器件，对导电性能和耐磨性能都有着严格要求。为了提高金基涂层的综合性能，研究人员通常会采用Ni、Cr元素进行合金化，并结合退火工艺优化组织结构。不过，新工艺是否真正有效，不能只看硬度或耐磨性能，还需要准确评估电阻率变化。这也是Xfilm埃利四探针方阻仪广泛应用于导电薄膜研发的重要原因。磁

  电阻率 薄膜 连接器

  154浏览量

• 发布了文章 2026-07-03 18:02

  2nm还能扛：层状PdCoO₂把铜互连的量子电阻率瓶颈撕开了口子

  

  芯片互连缩到7nm以下，铜的日子不好过了。电子平均自由程跟线宽差不多，边界散射猛拉电阻率，再加上2nm的阻挡层和衬层把有效导电面积啃掉一大块。用Xfilm埃利四探针方阻仪在不同厚度薄膜上实测方阻随厚度变化，能看到铜薄膜在30nm以下电阻率急剧攀升——这是整个行业卡脖子的物理节点。本文用第一性原理系统计算了层状delafossite氧化物PdCoO₂的厚度依赖

  测量 电阻率 芯片

  426浏览量

• 发布了文章 2026-06-25 18:01

  一张照片测出方阻：深度学习让银纳米线电极告别接触式测量

  

  银纳米线透明电极是柔性电子、太阳能电池、触控屏的核心组件，方阻直接决定器件性能。传统测方阻靠四探针接触法，探针压在纳米线上容易造成损伤，测完样品基本就废了。Xfilm埃利四探针方阻仪在接触式测量中精度可靠，但对脆弱的纳米线网络，有没有不碰样品也能测的办法？本文用卷积神经网络直接从光学显微镜照片预测方阻，不用接触样品。为什么传统方法不够用/Xfilm测方阻的主

  测量 深度学习 电极

  602浏览量

• 发布了文章 2026-06-23 18:05

  四探针法测量薄层电阻方法对比

  

  测量薄层电阻看是一个测试项，实际却经常牵动整条工艺线。半导体、IC和光伏都离不开它。它一变，扩散、沉积、退火的状态也会跟着显形。四探针法之所以一直没退出主流，就是因为它足够成熟，也足够贴近现场。Xfilm四探针方阻仪这类专业设备，正是在这些痛点上提供更稳定的离线验证和在线映射支持，让数据从“勉强可用”走向“工艺可信”。薄层电阻测量常规直线四探针法原理与特点/

  测试仪 测量 电阻

  546浏览量