苏州埃利测量仪器有限公司

动态

• 发布了文章 2026-07-16 18:03

  GaN外延方阻与接触电阻精准测量：干法刻蚀图形替代退火，三种衬底通吃

  

  氮化镓高电子迁移率晶体管外延片的方阻和载流子迁移率，是决定器件性能的核心参数。产线上用Xfilm埃利四探针方阻仪做快速非破坏方阻mapping，几秒出一个点，适合批量抽检。但四探针测的是面电阻，拿不到载流子浓度和迁移率——这两个参数得靠范德堡霍尔测量。问题来了：范德堡样品要蒸金属电极、高温退火形成欧姆接触，退火温度拿捏不好就会改变2DEG本来面目。本文发表了

  GaN 测量 电阻

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• 发布了文章 2026-07-14 18:04

  四探针测量法解析：金属小样品电阻率高精度测试方法

  

  实验室切割出一块纯铁薄片，宽度刚好3毫米。探针压上去，四探针方阻仪跳出的数值却比预期高出近20%。尺寸一缩减，电流路径就不再均匀，电场畸变把数据直接拉偏。小样品电阻率精确测量，一直是半导体扩散、光伏电池片和薄膜研发里最头疼的事。Xfilm四探针方阻仪在类似场景中，通过电流模式和尺寸修正，把偏差控制在了可接受范围。四探针方阻仪的工作原理与小样品挑战/Xfilm

  测试 测量 电阻率

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• 发布了文章 2026-07-09 18:03

  7万组数据挖出合金电阻率第一法则：价电子浓度压倒电负性和混合熵

  

  合金的电阻率到底由什么决定？这个问题困扰了材料人很久。Drude模型说电阻率跟电子密度和弛豫时间成反比，Matthiessen法则把各种散射事件加起来求和——理论上框架在那儿，但面对高浓度固溶体和复杂成分合金时，经典模型就开始力不从心了。本文用磁控共溅射结合组合材合成方法，制备了6种纯金属、7种二元和30种三元体系的薄膜合金，通过高通量四探针测量获取了超过7

  机器学习 测量 电阻率

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• 发布了文章 2026-07-07 18:05

  退火时间对磁控溅射Au-Ni-Cr金基涂层电阻率与耐磨性能的影响

  

  技术支持：4009926602航天导电滑环、新能源旋转连接器以及高可靠电子器件，对导电性能和耐磨性能都有着严格要求。为了提高金基涂层的综合性能，研究人员通常会采用Ni、Cr元素进行合金化，并结合退火工艺优化组织结构。不过，新工艺是否真正有效，不能只看硬度或耐磨性能，还需要准确评估电阻率变化。这也是Xfilm埃利四探针方阻仪广泛应用于导电薄膜研发的重要原因。磁

  电阻率 薄膜 连接器

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• 发布了文章 2026-07-03 18:02

  2nm还能扛：层状PdCoO₂把铜互连的量子电阻率瓶颈撕开了口子

  

  芯片互连缩到7nm以下，铜的日子不好过了。电子平均自由程跟线宽差不多，边界散射猛拉电阻率，再加上2nm的阻挡层和衬层把有效导电面积啃掉一大块。用Xfilm埃利四探针方阻仪在不同厚度薄膜上实测方阻随厚度变化，能看到铜薄膜在30nm以下电阻率急剧攀升——这是整个行业卡脖子的物理节点。本文用第一性原理系统计算了层状delafossite氧化物PdCoO₂的厚度依赖

  测量 电阻率 芯片

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• 发布了文章 2026-06-25 18:01

  一张照片测出方阻：深度学习让银纳米线电极告别接触式测量

  

  银纳米线透明电极是柔性电子、太阳能电池、触控屏的核心组件，方阻直接决定器件性能。传统测方阻靠四探针接触法，探针压在纳米线上容易造成损伤，测完样品基本就废了。Xfilm埃利四探针方阻仪在接触式测量中精度可靠，但对脆弱的纳米线网络，有没有不碰样品也能测的办法？本文用卷积神经网络直接从光学显微镜照片预测方阻，不用接触样品。为什么传统方法不够用/Xfilm测方阻的主

  测量 深度学习 电极

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• 发布了文章 2026-06-23 18:05

  四探针法测量薄层电阻方法对比

  

  测量薄层电阻看是一个测试项，实际却经常牵动整条工艺线。半导体、IC和光伏都离不开它。它一变，扩散、沉积、退火的状态也会跟着显形。四探针法之所以一直没退出主流，就是因为它足够成熟，也足够贴近现场。Xfilm四探针方阻仪这类专业设备，正是在这些痛点上提供更稳定的离线验证和在线映射支持，让数据从“勉强可用”走向“工艺可信”。薄层电阻测量常规直线四探针法原理与特点/

  测试仪 测量 电阻

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• 发布了文章 2026-06-18 18:05

  一文读懂铜薄膜热导率尺寸效应：马西森定则的室温实验验证

  

  互连线尺寸一路缩小，铜导线的热导率怎么跟着薄膜厚度变？这直接关系到芯片散热和可靠性。马西森定则长期被用来评估电子散射速率变化，但这条定则在室温下到底准不准，一直没人做过实验验证。本文解读一项发表在NatureCommunications上的研究——从27纳米到5微米厚度的铜薄膜，热导率变化规律是什么？电子-声子耦合又扮演什么角色？在工业实践中，Xfilm埃利

  测量 芯片 薄膜

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• 发布了文章 2026-06-16 18:02

  垂直四探针晶圆检测装置的设计及应用

  

  在半导体制造、光伏和显示面板领域，晶圆电阻率均匀性直接影响器件性能和良率。垂直四探针晶圆检测技术作为关键计量手段，能够精准评估薄层电阻（方阻）和电阻率分布，但探针压力（压入深度）控制不当常导致测量偏差或表面损伤。针对这些痛点，一项基于垂直四探针的国产化晶圆检测装置设计研究提供了实用解决方案。Xfilm四探针方阻测试仪在类似场景中，能够实现从研发到在线监测的平

  晶圆 检测装置

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• 发布了文章 2026-06-11 18:02

  非晶CoSi薄膜：越薄电阻率越低的反常标度行为

  

  铜互连缩到5nm以下，电阻率飙升是绕不过去的坎。拓扑材料因为受拓扑保护的表面态对电子散射不敏感，被视作超缩放互连的潜在候选。CoSi是一种拓扑手征半金属，理论预测其表面态具有极低的表面电阻率。IBM团队用分子束外延沉积了2-82.5nm厚度的CoSi薄膜，系统测量了电阻率标度和磁输运特性，发现了一个反直觉的结果：非晶CoSi薄膜越薄，电阻率反而越低。这种反常

  测试仪 电阻 薄膜

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