苏州埃利测量仪器有限公司

动态

• 发布了文章 2026-05-28 18:01

  方阻表征验证纳米氧化物让铜键合更强：先进封装的逆向思维

  

  铜-铜键合是2.5D/3D封装最核心的互连工艺，但直接键合界面强度低、温度高，一直卡着行业脖子。本文发表了一项反直觉的研究：故意在铜纳米膜里撒纳米氧化物，键合强度反而飙升35倍。方阻表征用的是四探针法——Xfilm埃利四探针方阻仪在这类超薄膜电学评估中精度独一份，纳米尺度方阻的细微变化都跑不掉。异质纳米结构：铜晶粒+氧化物弥散/Xfilm团队用PSBEE法在

  DSC 封装

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• 发布了文章 2026-05-26 18:03

  四探针测试选尖针还是圆头？一文看懂选型逻辑

  

  在半导体晶圆方阻测试和薄膜电阻率测量中，许多工程师面临同一个难题：四探针探头到底该选尖头还是圆头？错误的选择常导致样品损伤或数据不稳，直接影响工艺优化和产品良率。四探针探头选择的核心在于平衡测量精度与样品保护。尖头与圆头各有适用场景，正确配置能显著提升测试可靠性。Xfilm在线四探针系统支持多种探头配置，帮助用户在实验室研发到生产线监控中实现高效测量。探头选

  半导体 测试 电阻

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• 发布了文章 2026-05-21 18:06

  铜互连之后：化合物导体突破先进节点电阻率瓶颈

  

  随着集成电路特征尺寸持续缩减，铜互连的电阻率因电子在表面和晶界的散射急剧上升，加之阻挡层和衬层的可缩减性受限，已成为制约微电子器件进一步微缩的关键瓶颈。铜的电子平均自由程约40nm，已远超最先进技术节点局部互连的半节距，寻找替代互连材料迫在眉睫。借助Xfilm埃利四探针方阻仪对薄膜方阻的精确测量，研究者能够定量评估互连材料的电阻率尺寸效应，为寻找铜的替代方案

  仪器 测量 电阻 电阻率

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• 发布了文章 2026-05-19 18:06

  如何用四探针测量半导体电阻率

  

  在半导体行业中，准确测量晶圆电阻率是材料研发和制程质量控制的关键环节。随着工艺节点不断缩小，器件对电性一致性的要求日益严格，仅靠经验无法满足现代制造的需求。因此工程师们大量采用四探针方法对电阻率进行高精度测量。相比传统测量方式，Xfilm四探针方阻仪方法能有效减少接触阻抗误差，是晶圆电阻率检测的行业标准。现代高性能专业设备解决方案已集成自动校准、数据映射等功

  半导体 测量 电阻

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• 发布了文章 2026-05-14 18:04

  ABC型原子层沉积钌薄膜：后铜互连的低电阻率突破

  

  随着半导体互连线宽持续微缩，铜互连的电阻率因电子在表面和晶界的散射而急剧上升，寻找替代互连金属成为行业迫切需求。钌凭借较低的体电阻率（7.1μΩ·cm）和短的电子平均自由程（6.6nm），在纳米尺度下受尺寸效应影响较小，被视为最有竞争力的候选材料之一。然而，高温原子层沉积过程中前驱体的热分解问题限制了钌薄膜质量的提升。本文介绍一种新型ABC型ALD工艺，通过

  半导体 电阻 薄膜

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• 发布了文章 2026-05-12 18:04

  四探针 vs 双探针的电池极片电阻率测试方法对比

  

  在电池研发与电极材料测试中，选择合适的测量方法至关重要。四探针法与双探针法是行业中常用的两种电阻率测试技术。相比双探针，Xfilm四探针方阻仪在消除接触电阻、实现绝对电阻率测量方面具有显著优势，尤其适用于薄膜材料、半导体和光伏电池片等高精度场景。对于科研和生产环节，理解两者差异并结合实际应用选择合适测试方法，是保障电池性能稳定和工艺优化的关键。电极电阻测试的

  测试 电池极片 电阻

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• 发布了文章 2026-05-07 18:03

  先进封装驱动互连变革——电阻率尺寸效应下的材料选择与挑战

  

  随着半导体器件持续微缩，金属互连在传输电信号方面的作用日益关键。铜因其1.68μΩ·cm的低块体电阻率，长期以来是互连材料的首选。然而，当互连线物理尺寸缩小至10nm以下时，铜的电阻率显著上升，这一现象被称为电阻率尺寸效应。互连电阻的增大导致电阻-电容延迟，直接降低晶体管和存储器件的运行速度，成为制约先进封装和人工智能计算性能提升的关键瓶颈。在薄膜电阻率表征

  先进封装 材料 驱动

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• 发布了文章 2026-04-28 18:03

  四探针方阻仪如何优化离子注入精度

  

  离子注入是半导体制造的核心掺杂工艺，注入剂量偏差、热退火不均、晶圆边缘电流流失等问题，却常常导致方阻分布不均匀，直接影响芯片良率甚至造成器件失效。传统二探针法因接触电阻干扰，难以精准测量薄层电阻。Xfilm埃利四探针方阻仪通过电流-电压分离设计消除接触电阻误差，配合高密度映射技术，成为离子注入工艺监控的行业标准。四探针测试原理与测量优势/Xfilm电流-电压

  仪器 半导体制造 电流

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• 发布了文章 2026-04-23 18:04

  四探针法在半导体制造中应用 | 同时测定钌薄膜的电阻温度系数与热边界电导

  

  电阻温度系数定义了材料电阻率随温度升高的分数变化量。对于大多数金属而言，该系数为正值，意味着器件通电后会产生不希望的自发热。因此，在电子器件的设计与生产中，必须对这一参数加以考量，以避免效率、性能和可靠性的损失。传统测量方法需要在多个稳态温度点逐一记录电阻值，再通过线性拟合确定斜率，过程耗时且通常需要额外的样品制备步骤（如使用导电银漆改善电接触）。在实际研发

  半导体制造 测量 电阻

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• 发布了文章 2026-04-21 18:03

  从原理到应用：四探针测试仪选型指南

  

  在薄膜、晶圆、导电涂层和半导体材料开发中，真正难的不是“能不能测”，而是“能不能测得准、测得稳、测得一致”。传统方法容易受到接触电阻、样品形状和操作差异影响，数据往往不够可靠。Xfilm埃利四探针方阻仪正是为了解决这一问题而存在，它能更稳定地完成方阻和电阻率测量，也更适合研发验证和工艺判断。四探针测试仪的原理与原则/Xfilm四探针测试仪原理四探针法的核心是

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