苏州埃利测量仪器有限公司

动态

• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  半导体欧姆接触工艺 | MoGe₂P₄实现超低接触电阻的TLM验证

  

  二维半导体因其原子级厚度和独特电学性质，成为后摩尔时代器件的核心材料。然而，金属-半导体接触电阻成为限制器件性能的关键瓶颈。传统二维半导体（如MoS₂、黑磷）普遍存在高肖特基势垒问题，导致载流子注入效率低下。近期发现的MoGe₂P₄单层因兼具高载流子迁移率（>10³cm²V⁻¹s⁻¹）和适中间接带隙（0.49eV），被视为理想沟道材料。本文通过第一性原理计算

  TLM 半导体 接触电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  4H-SiC薄膜电阻在高温MEMS芯片中的应用 | 电阻率温度转折机制分析

  

  微机电系统（MEMS）传感器技术已广泛应用于汽车、医疗等领域，但在航空发动机等极端高温环境（>500℃）中，传统硅基传感器因材料限制无法使用。碳化硅（SiC）因其高温稳定性、高集成性成为理想替代材料，但其关键材料参数（如衬底热膨胀系数、薄膜电阻温度特性）缺乏系统研究，导致传感器设计阶段难以评估温度效应。本研究结合Xfilm埃利在线四探针方阻仪针对4H-SiC

  mems芯片 电阻率 薄膜电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  四探针薄膜测厚技术 | 平板显示FPD制造中电阻率、方阻与厚度测量实践

  

  平板显示（FPD）制造过程中，薄膜厚度的实时管理是确保产品质量的关键因素。传统方法如机械触针法、显微法和光学法存在破坏样品、速度慢、成本高或局限于特定材料等问题。本研究开发了一种基于四探针法的导电薄膜厚度测量仪，其原理是通过将已知的薄膜材料电阻率除以方阻来确定厚度，并使用XFilm平板显示在线方阻测试仪作为对薄膜在线方阻实时检测，以提供数据支撑。旨在实现非破

  FPD 测厚 薄膜

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• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  四探针法 | 测量射频（RF）技术制备的SnO2:F薄膜的表面电阻

  

  SnO₂:F薄膜作为重要透明导电氧化物材料，广泛用于太阳能电池、触摸屏等电子器件，其表面电阻特性直接影响器件性能。本研究以射频（RF）溅射技术制备的SnO₂:F薄膜为研究对象，通过铝PAD法与四探针法开展表面电阻测量研究。Xfilm埃利四探针方阻仪凭借高精度检测能力，可为此类薄膜电学性能测量提供可靠技术保障。下文将重点分析四探针法的测量原理、实验方法与结果，

  RF 电阻 薄膜

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• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  低维半导体器件电阻率的测试方法

  

  电阻率的测试方法多样，应根据材料的维度（如块体、薄膜、低维结构）、形状及电学特性选择合适的测量方法。在低维半导体材料与器件的研发和生产中，电阻率作为反映材料导电性能的关键参数，其精确测量对器件性能评估和质量控制具有重要意义。Xfilm埃利四探针方阻仪凭借高精度和智能化特性，可为低维半导体材料的电学性能检测提供了可靠解决方案。下文将系统阐述常规四探针法、改进的

  半导体器件 测试 电阻率

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• 发布了文章 2025-09-29 13:43

  基于改进传输线法（TLM）的金属 - 氧化锌半导体界面电阻分析

  

  传输线方法（TLM）作为常见的电阻测量技术，广泛应用于半导体器件中沟道电阻与接触电阻的提取。传统的TLM模型基于理想欧姆接触假设，忽略了界面缺陷、势垒等非理想因素引入的界面电阻，尤其在氧化物半导体如氧化锌中，这一简化可能导致关键参数的显著偏差。ZnO因其宽禁带、高激子结合能等特性，在薄膜晶体管、传感器和存储器等器件中具有重要应用价值，其界面特性的准确表征尤为

  TLM 半导体 电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:04

  判定高电阻率硅的导电类型：基于氢氟酸HF处理结合扩展电阻SRP分析的高效无损方法

  

  高电阻率硅因其低损耗和高性能特点，在电信系统中的射频（RF）器件应用中备受关注。尤其是作为绝缘硅（SOI）技术的理想基板，高电阻率硅的需求日益增加。然而，确定高电阻率硅的导电类型（n型或p型）一直是一个挑战。传统方法如表面光电压（SPV）法受限于表面条件和低载流子浓度。本文提出了一种结合氢氟酸（HF）处理与扩展电阻分布分析（SRP）的新方法，通过借助Xfil

  导电 电阻 高电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:03

  面向5G通信应用：高阻硅晶圆电阻率热处理稳定化与四探针技术精准测量

  

  随着5G通信技术的快速发展，高阻绝缘体上硅在微波与毫米波器件、探测器等领域的应用需求激增。然而，高阻硅片电阻率的快速准确测量仍面临技术挑战。四点探针法（4PP）因其高精度、宽量程等特点被视为优选方法，但其测量结果易受时间因素影响，导致数据不稳定。本研究基于Xfilm埃利四探针方阻仪的系统性测量，首次观察到高阻硅片电阻率的时间依赖性行为，揭示表面氧化引起的界面

  5G通信 晶圆 测量 电阻

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• 发布了文章 2025-09-29 13:03

  基于传输线法（TLM）的多晶 In₂O₃薄膜晶体管电阻分析及本征迁移率精准测量

  

  氧化物半导体（如In₂O₃）因其高电子迁移率（>10cm²/Vs）和低漏电流特性，成为下一代显示技术和三维集成器件的理想候选材料。然而，传统场效应迁移率（μFE）的测量常因寄生电阻（Rs/d）和通道尺寸偏差（ΔL/ΔW）导致低估本征迁移率（μFEi）。本文通过传输线法（TLM），结合Xfilm埃利TLM接触电阻测试仪，在多晶In₂O₃-TFT中分离通道电阻R

  TLM 电阻 薄膜晶体管

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• 发布了文章 2025-09-29 13:03

  IEC新标准赋能石墨烯产业化：范德堡法与在线四探针法实现薄层电阻精准测量

  

  石墨烯因其超高的载流子迁移率、机械强度和化学稳定性，被视为下一代电子器件、传感器及能源材料的核心候选。但其产业化面临关键挑战：不同合成方法（如CVD、机械剥离）导致材料性能差异显著，亟需国际标准确保测量的一致性与可重复性。为此，国际电工委员会（IEC）发布了IECTS62607-6-7（范德堡法）和IECTS62607-6-8（在线四探针法），旨在规范大面积

  传感器 测量 电阻 石墨烯

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