芯矽科技

动态

• 发布了文章 2026-08-24 14:04

  半导体圆晶能用兆声波清洗吗

  

  在半导体制造迈向纳米级制程的进程中，圆晶表面洁净度已成为决定芯片良率的核心变量。兆声波清洗技术凭借无损、高效、精准的特性，成为解决圆晶清洗难题的关键方案，为半导体产业筑牢洁净根基。传统清洗方式在应对纳米级颗粒、高深宽比结构时，易陷入清洗不彻底或损伤晶圆的困境。兆声波清洗则以独特优势破解这一矛盾，其能量传递温和，不会产生强烈空化效应，既能高效剥离亚微米级颗粒，

  制造 半导体

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• 发布了文章 2026-08-24 14:01

  半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法

  

  在半导体制造中，晶圆蚀刻后形成的深孔清洗是保障器件性能的核心环节。深孔内残留的聚合物、金属颗粒等污染物，会直接影响后续金属层导通性，导致器件失效。因此，高效精准的清洗技术至关重要。针对深孔清洗难题，主流方法采用多步骤协同工艺。先以EKC溶液（NMP与碱性胺的混合液）进行首次浸泡或喷射清洗，在90℃环境下持续30分钟，利用其强溶解性高效去除蚀刻产生的聚合物，同

  半导体 半导体晶圆 晶圆蚀刻

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• 发布了文章 2026-08-20 17:07

  晶圆制造中还有哪些化学方法？

  

  晶圆制造是芯片产业的核心环节，其高度精密的流程高度依赖多种化学方法，这些方法贯穿从原料提纯到器件成型的全链条，具体可归纳为以下几类核心化学技术：一、硅提纯与精炼：奠定材料纯度基础晶圆制造的起点是将天然石英砂转化为超高纯度硅，这一过程完全依赖化学反应。首先，石英砂（主要成分为二氧化硅）在2000℃高温电弧熔炉中与碳源发生还原反应，生成纯度约98%的冶金级硅。随

  晶圆制造 材料 芯片

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• 发布了文章 2026-08-20 16:26

  湿法刻蚀有哪些工艺

  

  湿法刻蚀是半导体制造中基于化学溶液腐蚀的传统刻蚀技术，凭借设备简单、成本低、选择性高等优势，在半导体产业链中占据重要地位。一、核心工艺原理湿法刻蚀的核心是将晶圆浸入精准配比的化学腐蚀溶液中，利用溶液与裸露材料的化学反应，溶解去除未被掩膜保护的部分，实现图形转移。其本质是纯化学反应过程，副产物为气体、液体或可溶于刻蚀溶液的固体，经后续漂洗、干燥完成全流程。二、

  刻蚀 半导体 湿法

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• 发布了产品 2026-08-11 15:45

  槽式晶圆清洗机_芯矽科技

  

  产品型号：csjyqxj

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• 发布了产品 2026-08-11 15:42

  全自动rca清洗机_芯矽科技

  

  产品型号：qzdrcaqxj

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• 发布了文章 2026-08-04 11:39

  晶圆为什么必须进行湿法清洗

  

  晶圆必须进行湿法清洗，是由半导体制造的高精度、高良率、高可靠性需求决定的，其核心逻辑是：晶圆在制造过程中会产生多种污染物，这些污染物会对后续工艺和器件性能造成致命影响，而湿法清洗是目前唯一能高效、可控、全面去除这些污染物的关键工艺。具体原因可从污染物危害、工艺必要性、湿法清洗的独特优势三个维度展开分析：一、污染物的致命危害：不清洗将导致芯片失效晶圆在制造过程

  半导体制造 晶圆

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• 发布了文章 2026-08-03 14:52

  晶圆槽式清洗机的操作流程是什么

  

  晶圆槽式清洗机的操作流程是半导体制造中保障晶圆洁净度的关键环节，其核心流程可归纳为预处理、主清洗、漂洗干燥、后处理与检测四大阶段，具体操作流程如下：预处理阶段初步清洁：采用无尘布或静电消除刷擦拭晶圆盒内外表面，去除大颗粒污染物；通过低压氮气或压缩空气（压力≤5bar）吹扫缝隙，避免高压导致污染物扩散。若存在顽固有机物或盐类残留，可喷洒少量去离子水或低浓度异丙

  晶圆 清洗机

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• 发布了文章 2026-07-27 16:11

  湿法刻蚀化学品全解析：从基础试剂到定制化方案

  

  湿法刻蚀是半导体制造的核心工艺之一，通过液态化学试剂的选择性腐蚀作用，实现材料精准去除，其核心在于化学品的科学选择与配比。以下从酸类、碱类、缓冲体系及特殊配方四类，解析湿法刻蚀的关键化学品。一、酸类：材料刻蚀的“主力军”酸类化学品凭借强腐蚀性与选择性，成为刻蚀的核心试剂。氢氟酸（HF）是氧化物刻蚀的核心，可与二氧化硅反应生成可溶性物质，根据浓度分为浓HF、稀

  化学品 半导体制造

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• 发布了文章 2026-07-27 16:07

  芯矽科技晶圆槽式清洗设备：技术融合+创新赋能，重塑半导体清洗效能

  

  芯矽科技的晶圆槽式清洗设备凭借多元技术融合、智能化设计、环保创新及定制化能力，在半导体湿法清洗领域展现出显著的核心竞争力，具体优势如下：多元技术融合，实现纳米级精准清洗多元清洗技术协同：设备融合超声波、兆声波及等离子体技术，通过高频声波空化效应精准剥离晶圆表面亚微米级颗粒，高频兆声波甚至可清除≥0.1μm的颗粒，适配FinFET、GAA等先进制程，攻克高深宽

  半导体 晶圆 清洗设备

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