芯矽科技

动态

• 发布了文章 2026-04-20 14:02

  晶圆清洗设备技术规范全解析：核心标准与关键要求体系

  

  晶圆清洗设备的技术规范要求标准主要围绕设备性能、工艺控制、环境适配及安全环保等核心维度展开，结合行业最新发布的团体标准与工艺实践，具体规范如下：核心性能技术规范污染物去除效率与选择性全面清除污染物：设备需有效去除微尘颗粒、重金属离子、有机物残留及氧化层副产物，尤其针对纳米级颗粒和复杂污染物（如光刻胶、研磨液），需结合物理与化学清洗技术（如RCA标准清洗序列、

  半导体 晶圆 清洗设备

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• 发布了产品 2026-04-07 14:10

  槽式硅片清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：csgpqxj

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• 发布了产品 2026-04-07 14:06

  晶圆湿法清洗机|苏州芯矽科技

  

  产品型号：jysfqxj

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• 发布了文章 2026-04-07 14:01

  芯矽科技槽式硅片清洗机，凭技术硬实力筑牢半导体制造根基

  

  芯矽科技的槽式硅片清洗机是专为半导体晶圆及硅片高精度清洗设计的自动化设备，凭借技术创新、高效性能与国产化优势，成为半导体精密清洗的核心解决方案。以下从技术特性、核心优势、应用场景及市场价值等方面综合分析：技术特性多模态复合清洗技术物理与化学协同：设备融合高频超声波（40kHz）与兆声波（MHz级）技术，通过微射流冲击精准剥离≥0.1μm的亚微米级颗粒，尤其适

  半导体 清洗机 硅片

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• 发布了文章 2026-03-31 14:18

  槽式清洗机制造工艺：精密集成与洁净保障的核心逻辑

  

  槽式清洗机是半导体、光伏、精密电子等领域实现批量晶圆/基板高效清洗的核心装备，其制造工艺需兼顾结构刚性、洁净控制、流体精度与自动化可靠性，核心围绕材料加工、核心组件集成、洁净装配、系统集成与质量验证五大环节，构建全流程精密制造体系，确保设备在高腐蚀、高洁净、高精度场景下的稳定运行。一、核心结构与材料加工工艺：奠定设备刚性与耐蚀基础槽式清洗机的主体结构直接决定

  制造 半导体 清洗机

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• 发布了文章 2026-03-09 16:38

  芯矽科技半导体湿法制程：以硬核技术，筑牢国产半导体制造核心底座

  

  芯矽科技作为半导体湿法设备领域的领军企业，其半导体湿法制程技术围绕高精度清洗、蚀刻与去胶等核心需求，构建了从设备研发到量产验证的完整解决方案，核心优势及技术特点可从以下维度系统解析：核心技术：多技术协同的湿法工艺体系物理+化学复合清洗技术原理：结合超声波/兆声波（1–10MHz高频）的空化效应与高压喷淋，通过多角度水流覆盖复杂表面，实现无死角清洁，可清除低至

  半导体 半导体制造 设备

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• 发布了文章 2026-03-04 15:29

  选购槽式清洗机时，应该重点比较哪些技术参数？

  

  选购槽式清洗机时，需围绕清洗效果、效率、稳定性、成本及智能化等核心目标，重点对比多维度技术参数，确保设备精准匹配生产需求。以下是关键参数的详细拆解与对比要点：一、清洗工艺适配参数：决定核心清洗效果清洗工艺参数直接决定设备能否适配目标污染物类型、工件材质及工艺要求，是选型的首要考量，需重点对比以下维度：化学兼容性与材质耐受性核心参数：设备腔体及接触部件的材质、

  清洗机 超声波

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• 发布了文章 2026-03-03 15:24

  如何选择适合12英寸大硅片抛光后清洗的化学品

  

  针对12英寸大硅片抛光后的清洗，化学品选择需兼顾污染物类型、硅片表面特性、工艺兼容性、环保安全等多重因素，核心目标是实现高洁净度、低表面损伤，并适配后续工艺需求。以下从核心维度拆解选择逻辑，结合行业实践给出具体方案：明确抛光后核心污染物，精准匹配化学品功能抛光后硅片表面污染物以颗粒残留、有机污染物、金属杂质、原生氧化层为主，需根据污染物占比和特性选择针对性化

  半导体 抛光 硅片

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• 发布了文章 2026-02-26 13:42

  晶圆工艺制程清洗方法

  

  晶圆工艺制程清洗是半导体制造的核心环节，直接决定芯片良率与器件性能，需针对不同污染物（颗粒、有机物、金属离子、氧化物）和制程需求，采用物理、化学、干法、复合等多类技术，适配从成熟制程到先进制程的全流程洁净要求。以下从技术分类、核心工艺、应用场景及未来趋势，系统梳理晶圆工艺制程清洗方法：一、湿法清洗：主流技术，依托化学与物理协同湿法清洗以液体化学试剂为核心，结

  半导体制造 晶圆 芯片

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• 发布了文章 2026-02-25 15:04

  湿法清洗和干法清洗，哪种工艺更适合先进制程的硅片

  

  在先进制程的硅片清洗工艺中，湿法清洗与干法清洗各有技术特性，适配场景差异显著，并不存在绝对的“最优解”，而是需要结合制程节点、结构复杂度、污染物类型等核心需求综合判断。以下从技术特性、制程适配性、核心优劣势三个维度，结合先进制程的核心需求，对两种工艺进行系统对比分析：技术特性与核心能力对比湿法清洗技术原理：以液体化学试剂为核心，通过氧化、溶解、蚀刻等化学反应

  先进制程 硅片

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