芯矽科技

动态

• 发布了文章 2025-09-11 11:19

  半导体rca清洗都有什么药液

  

  半导体RCA清洗工艺中使用的主要药液包括以下几种，每种均针对特定类型的污染物设计，并通过化学反应实现高效清洁：SC-1（碱性清洗液）成分组成：由氢氧化铵（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水按比例混合而成，常见配比为1:1:5至1:2:7（体积比）。核心作用：作为碱性溶液，主要用于去除颗粒、有机污染物及部分金属杂质。其机理在于双氧水的强氧化性分解有机

  RCA 半导体 清洗工艺

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2025-09-09 11:38

  高压喷淋清洗机有哪些特点

  

  高压喷淋清洗机的工作原理是通过一系列协同作用的技术手段实现高效清洁，其核心流程如下：高压水流生成：设备内置的高压水泵（如柱塞泵）在动力驱动下将普通水或混合清洗剂的液体加压至特定压力值，形成高速、集中的水射流。这种高压使水从特制喷嘴喷出时具备极强的冲击力，能够穿透物体表面的污垢层。物理冲刷与剥离作用：当高压水流接触待清洗物体表面时，水的冲击力会大于污垢与物体间

  工业 清洗机

  493浏览量

• 发布了文章 2025-09-09 11:29

  如何提高光刻胶残留清洗的效率

  

  提高光刻胶残留清洗效率需要结合工艺优化、设备升级和材料创新等多方面策略，以下是具体方法及技术要点：1.工艺参数精准控制动态调整化学配方根据残留类型（正胶/负胶、厚膜/薄膜）实时匹配最佳溶剂组合。例如，对顽固性交联结构可采用混合酸（如硫酸+双氧水）增强氧化分解能力，而敏感金属层则优先选用中性缓冲氧化物蚀刻液（BOE）。通过在线pH计监测反应活性，自动补液维持有

  光刻胶 材料 超声波

  417浏览量

• 发布了文章 2025-09-08 13:14

  如何优化碳化硅清洗工艺

  

  优化碳化硅（SiC）清洗工艺需要综合考虑材料特性、污染物类型及设备兼容性，以下是系统性的技术路径和实施策略：1.精准匹配化学配方与反应动力学选择性蚀刻控制：针对SiC表面常见的氧化层（SiO₂）、石墨化残留物及金属杂质，开发多组分混合酸液体系。例如，采用HF/HNO₃/HAc缓冲溶液实现各向同性蚀刻，既能有效去除损伤层又不引入表面粗糙化。通过电化学阻抗谱监测

  SiC

  488浏览量

• 发布了文章 2025-09-03 10:05

  硅衬底的清洗步骤一览

  

  预处理与初步去污将硅片浸入盛有丙酮或异丙醇溶液的容器中超声清洗10–15分钟，利用有机溶剂溶解并去除表面附着的光刻胶、油脂及其他疏水性污染物。此过程通过高频振动加速分子运动，使大块残留物脱离基底进入溶液体系。随后用去离子水（DIW）喷淋冲洗，配合氮气枪吹扫表面以去除溶剂痕迹，完成基础脱脂操作。标准RCA清洗协议实施第一步：碱性过氧化氢混合液处理（SC-1）配

  晶圆 清洗设备 硅片

  449浏览量

• 发布了文章 2025-09-03 10:01

  从衬底到外延：碳化硅材料的层级跃迁与功能分化

  

  碳化硅衬底和外延片是半导体产业链中的两个关键组件，尽管两者均由碳化硅材料构成，但在功能定位、制备工艺及应用场景等方面存在显著差异。以下是具体分析：定义与基础作用不同碳化硅衬底：作为整个器件的基础载体，是通过物理气相传输法（PVT）生长出的单晶材料，主要为后续外延生长提供机械支撑、热稳定性和基础电学性能。其核心价值在于晶体质量的控制，例如位错密度、微管密度等指

  晶圆 碳化硅 衬底

  1k浏览量

• 发布了文章 2025-09-02 11:49

  湿法刻蚀的工艺指标有哪些

  

  湿法刻蚀的工艺指标是确保半导体制造过程中图形转移精度和器件性能的关键参数，主要包括以下几个方面：刻蚀速率定义与意义：指单位时间内材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影响生产效率和成本控制。该速率由化学试剂浓度、反应温度及溶液流动性共同决定。例如，在较高温度下，分子热运动加剧会加速化学反应；而高浓度刻蚀液虽能提升速度，但可能引发过蚀风险。调控方式

  半导体制造 湿法

  608浏览量

• 发布了文章 2025-09-02 11:45

  湿法腐蚀工艺处理硅片的原理介绍

  

  湿法腐蚀工艺处理硅片的核心原理是基于化学溶液与硅材料之间的可控反应，通过选择性溶解实现微纳结构的精密加工。以下是该过程的技术要点解析：化学反应机制离子交换驱动溶解：以氢氟酸（HF）为例，其电离产生的F⁻离子会与硅原子形成可溶性的络合物SiF₆²⁻，使硅基质逐渐分解进入溶液。硝酸（HNO₃）作为氧化剂则加速这一过程，通过提供额外的空穴载流子增强反应活性。不同配

  材料 硅片

  716浏览量

• 发布了文章 2025-09-01 11:30

  湿法清洗尾片效应是什么原理

  

  湿法清洗中的“尾片效应”是指在批量处理晶圆时，最后一片（即尾片）因工艺条件变化导致清洗效果与前面片子出现差异的现象。其原理主要涉及以下几个方面：化学试剂浓度衰减：随着清洗过程的进行，槽体内化学溶液逐渐被消耗或污染（如反应产物积累、杂质融入），导致尾片所处的液体环境成分发生变化。例如，在RCA清洗中，SC-1溶液中的双氧水因持续反应而浓度降低，减弱了对颗粒物的

  晶圆 湿法

  245浏览量

• 发布了文章 2025-09-01 11:21

  清洗芯片用什么溶液

  

  清洗芯片时使用的溶液种类繁多，具体选择取决于污染物类型、基材特性和工艺要求。以下是常用的几类清洗液及其应用场景：有机溶剂类典型代表：醇类（如异丙醇）、酮类（丙酮）、醚类等挥发性液体。作用机制：利用相似相溶原理快速溶解有机污渍（如油脂、光刻胶残留物），适用于初步去脂或特定聚合物材料的清除。例如，在CCD芯片清洗中，常采用“蒸馏水→异丙醇→纯丙酮”的顺序循环喷淋

  芯片

  789浏览量