芯矽科技

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• 发布了文章 2025-10-13 10:57

  sc-1和sc-2可以一起用吗

  

  SC-1和SC-2可以一起使用，但需遵循特定的顺序和工艺条件。以下是其协同应用的具体说明：分步实施的逻辑基础SC-1的核心作用：由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和水组成，主要去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。其碱性环境通过腐蚀氧化层使颗粒脱落，并通过静电排斥防止再吸附；同时H₂O₂的强氧化性分解有机物；SC-2的补充功能：含盐酸（HC

  半导体 清洗机 湿法

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• 发布了文章 2025-10-09 13:46

  晶圆去除污染物有哪些措施

  

  晶圆去除污染物的措施是一个多步骤、多技术的系统工程，旨在确保半导体制造过程中晶圆表面的洁净度达到原子级水平。以下是详细的解决方案：物理清除技术超声波辅助清洗利用高频声波（通常为兆赫兹范围）在清洗液中产生空化效应，形成微小气泡破裂时释放的能量可剥离晶圆表面的颗粒物和有机膜层。该方法对去除光刻胶残渣尤为有效，且能穿透复杂结构如沟槽和通孔进行深度清洁。高压喷淋冲洗

  晶圆 清洗剂

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• 发布了文章 2025-10-09 13:40

  半导体器件清洗工艺要求

  

  半导体器件清洗工艺是确保芯片制造良率和可靠性的关键基础，其核心在于通过精确控制的物理化学过程去除各类污染物，同时避免对材料造成损伤。以下是该工艺的主要技术要点及实现路径的详细阐述：污染物分类与对应清洗策略半导体制造过程中产生的污染物可分为四类：颗粒物（灰尘/碎屑）、有机残留（光刻胶/油污）、金属离子污染、氧化层。针对不同类型需采用差异化的解决方案：颗粒物清除

  半导体器件 芯片制造

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• 发布了文章 2025-09-28 14:16

  如何设定清洗槽的温度

  

  设定清洗槽的温度是半导体湿制程工艺中的关键环节，需结合化学反应动力学、材料稳定性及污染物特性进行精准控制。以下是具体实施步骤与技术要点：1.明确工艺目标与化学体系适配性反应速率优化：根据所用清洗液的活化能曲线确定最佳反应温度区间。例如，酸性溶液（如H₂SO₄/H₂O₂混合液）通常在70–85℃时反应速率显著提升，可加速有机物碳化分解；而碱性溶液（如NH₄OH

  半导体 清洗

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• 发布了文章 2025-09-28 14:13

  如何选择合适的半导体槽式清洗机

  

  选择合适的半导体槽式清洗机需要综合考虑多方面因素，以下是一些关键的要点：明确自身需求清洗对象与工艺阶段材料类型和尺寸：确定要清洗的是硅片、化合物半导体还是其他特殊材料，以及晶圆的直径（如常见的12英寸、8英寸等）。不同材料和尺寸对设备的兼容性有要求，例如某些设备可能专为特定尺寸的晶圆设计，能更好地适配其形状和重量，保证清洗效果和操作安全性。污染物种类及特性：

  半导体 晶圆 清洗机

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• 发布了产品 2025-09-28 14:09

  半导体槽式清洗机 芯矽科技

  

  产品型号：bdtcsqxj 非标定制：根据需求定制

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• 发布了产品 2025-09-28 14:06

  半导体湿制程设备 芯矽科技

  

  产品型号：bdtszcsb 非标定制：根据需求定制参数

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• 发布了产品 2025-09-28 14:02

  全自动酸洗设备

  

  产品型号：qzdsxsb 非标定制：根据需求定制

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• 发布了文章 2025-09-25 13:59

  半导体金属腐蚀工艺

  

  半导体金属腐蚀工艺是集成电路制造中的关键环节，涉及精密的材料去除与表面改性技术。以下是该工艺的核心要点及其实现方式：一、基础原理与化学反应体系金属腐蚀本质上是一种受控的氧化还原反应过程。常用酸性溶液（如HF、H₂SO₄）或碱性蚀刻液（KOH、TMAH）作为腐蚀介质，通过电化学作用溶解目标金属材料。例如，在铝互连工艺中，磷酸基蚀刻液能选择性去除铝层而保持下层介

  半导体 金属腐蚀 集成电路

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• 发布了文章 2025-09-25 13:56

  半导体腐蚀清洗机的作用

  

  半导体腐蚀清洗机是集成电路制造过程中不可或缺的关键设备，其作用贯穿晶圆加工的多个核心环节，具体体现在以下几个方面：一、精准去除表面污染物与残留物在半导体工艺中，光刻、刻蚀、离子注入等步骤会留下多种顽固杂质。例如，光刻后的未曝光区域需要剥离残余的光刻胶及底层聚合物；刻蚀工序产生的金属碎屑或反应副产物也可能附着在晶圆表面。腐蚀清洗机通过特定化学试剂（如硫酸、双氧

  半导体 清洗机

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