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• 发布了文章 2025-12-10 13:45

  衬底清洗全攻略：从湿法到干法，解锁半导体制造的“洁净密码”

  

  衬底清洗是半导体制造、LED外延生长等工艺中的关键步骤，其目的是去除衬底表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子、氧化层等），确保后续薄膜沉积或器件加工的质量。以下是常见的衬底清洗方法及适用场景：一、湿法化学清洗RCA标准清洗（硅片常用）SC-1（碱性清洗）：NH₄OH+H₂O₂+H₂O混合液，用于去除有机污染物和颗粒。DHF（稀释氢氟酸）：HF:H₂O=1:

  led 薄膜

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• 发布了文章 2025-12-09 14:35

  湿法清洗机原理：化学溶解与物理作用的协同清洁机制

  

  湿法清洗机是半导体制造中用于清洁晶圆表面的关键设备，其核心原理是通过化学溶液与物理作用的协同效应去除污染物。以下是其工作原理的详细说明：一、化学溶解与反应机制酸碱中和/氧化还原：利用酸性（如HF）、碱性（如NH₄OH）或溶剂（如IPA）与污染物发生化学反应。例如：SC-1溶液（NH₄OH+H₂O₂+DIW=1:1:5~1:2:7）：通过氧化分解有机物并增强颗

  半导体制造 清洗机

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• 发布了文章 2025-12-09 10:15

  晶圆清洗后保存技术指南：干燥、包装与环境控制要点

  

  晶圆清洗后的保存需严格遵循环境控制、包装防护及管理规范，以确保晶圆表面洁净度与性能稳定性。结合行业实践与技术要求，具体建议如下：一、干燥处理与环境控制高效干燥工艺旋转甩干（SRD）：通过高速旋转（3000–10,000rpm）离心脱水，配合加热氮气吹扫，实现无水痕干燥。氮气吹扫：使用高纯氮气（≥99.999%）定向吹拂，避免氧化污染，需搭配静电消除装置防止颗

  晶圆 清洗

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• 发布了文章 2025-12-09 10:12

  晶圆清洗的工艺要点有哪些

  

  晶圆清洗是半导体制造中至关重要的环节，直接影响芯片良率和性能。其工艺要点可归纳为以下六个方面：一、污染物分类与针对性处理颗粒污染：硅粉、光刻胶残留等，需通过物理擦洗或兆声波空化效应剥离。有机污染：油脂、光刻胶聚合物，常用SPM（H₂SO₄+H₂O₂）高温氧化分解。金属离子污染：Fe、Cu等，采用SC-2（HCl+H₂O₂）络合溶解，或加入螯合剂增强去除。自然

  半导体制造 晶圆

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• 发布了文章 2025-12-08 11:28

  研磨液供液系统工作原理

  

  研磨液供液系统是半导体制造中化学机械抛光（CMP）工艺的核心支持系统，其工作原理涉及流体力学、自动化控制及材料科学等多学科技术融合。以下是系统的工作流程与关键技术解析：一、核心组件与驱动方式动力驱动泵力系统：采用计量泵或离心泵输送研磨液，通过调节泵速控制流量。重力供液：在缓冲槽设计中应用，利用液位差实现稳定输出，减少脉动现象。气压辅助：向储液容器注入惰性气体

  CMP 半导体制造

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• 发布了文章 2025-12-08 11:24

  外延片氧化清洗流程介绍

  

  外延片氧化清洗流程是半导体制造中的关键环节，旨在去除表面污染物并为后续工艺（如氧化层生长）提供洁净基底。以下是基于行业实践和技术资料的流程解析：一、预处理阶段初步清洗目的：去除外延片表面的大颗粒尘埃、有机物及金属离子污染。方法：采用化学溶液（如SPM混合液）结合物理冲洗，通过高温增强化学反应效率，溶解并剥离表面残留的光刻胶等物质。二、核心清洗步骤有机溶剂处理

  半导体制造 测量

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• 发布了文章 2025-11-11 13:25

  如何检测晶圆清洗后的质量

  

  检测晶圆清洗后的质量需结合多种技术手段，以下是关键检测方法及实施要点：一、表面洁净度检测颗粒残留分析使用光学显微镜或激光粒子计数器检测≥0.3μm的颗粒数量，要求每片晶圆≤50颗。共聚焦激光扫描显微镜可三维成像表面形貌，通过粗糙度参数评估微观均匀性。有机物与金属污染检测紫外光谱/傅里叶红外光谱：识别有机残留（如光刻胶）。电感耦合等离子体质谱：量化金属杂质含量

  显微镜

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• 发布了文章 2025-11-11 13:24

  晶圆清洗甩干后有水斑怎么回事

  

  圆清洗甩干后出现水斑，可能由以下原因导致：水质问题：若使用的水中含有较多矿物质（如钙、镁离子），甩干时水分蒸发后，矿物质会残留形成白色或灰白色的水斑。表面材质特性：若圆的材质（如金属、玻璃等）表面存在细微孔隙或涂层不均匀，水分渗入后难以完全排出，干燥过程中残留的水渍会形成斑点。甩干不彻底：甩干时间不足或转速不够，导致部分水分未被完全脱离，残留在表面或缝隙中，

  晶圆

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• 发布了产品 2025-11-11 12:00

  4L-20桶清洗机

  

  产品型号：dzbtzqxj

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• 发布了文章 2025-11-04 16:13

  兆声波清洗对晶圆有什么潜在损伤

  

  兆声波清洗通过高频振动（通常0.8–1MHz）在清洗液中产生均匀空化效应，对晶圆表面颗粒具有高效去除能力。然而，其潜在损伤风险需结合工艺参数与材料特性综合评估：表面微结构机械损伤纳米级划痕与凹坑：兆声波产生的微射流和声流冲击力可达数百MPa，若功率密度过高或作用时间过长，可能对晶圆表面造成微观划痕或局部腐蚀。图形结构变形风险：对于高深宽比的3DNAND闪存结

  半导体 晶圆

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