芯矽科技

动态

• 发布了文章 2025-09-23 11:14

  再生晶圆和普通晶圆的区别

  

  再生晶圆与普通晶圆在半导体产业链中扮演着不同角色，二者的核心区别体现在来源、制造工艺、性能指标及应用场景等方面。以下是具体分析：定义与来源差异普通晶圆：指全新生产的硅基材料，由高纯度多晶硅经拉单晶、切片、抛光等工序制成，未经任何使用历史。其原材料通常来自二氧化硅矿石提炼的高纯硅料，经过严格控温的长晶过程形成圆柱形单晶硅棒，再切割成薄片后成为集成电路制造的基础

  制造 半导体 晶圆

  554浏览量

• 发布了文章 2025-09-23 11:10

  湿法去胶工艺chemical残留原因

  

  湿法去胶工艺中出现化学残留的原因复杂多样，涉及化学反应、工艺参数、设备性能及材料特性等多方面因素。以下是具体分析：化学反应不完全或副产物生成溶剂选择不当：若使用的化学试剂与光刻胶成分不匹配（如碱性溶液处理负性胶时溶解效率低），可能导致分解反应停滞，留下未反应的聚合物碎片。例如，某些强氧化体系（如硫酸-双氧水混合液）在碳化严重的区域难以彻底氧化有机物，形成难溶

  材料 湿法

  361浏览量

• 发布了文章 2025-09-22 11:09

  硅片湿法清洗工艺存在哪些缺陷

  

  硅片湿法清洗工艺虽然在半导体制造中广泛应用，但其存在一些固有缺陷和局限性，具体如下：颗粒残留与再沉积风险来源复杂多样：清洗液本身可能含有杂质或微生物污染；过滤系统的滤芯失效导致大颗粒物质未被有效拦截；设备管道内的积垢脱落进入清洗槽；气液界面扰动时空气中的微粒被带入溶液。这些因素均可能造成颗粒附着于硅片表面。此外，若清洗后的冲洗不彻底或干燥阶段水流速度过快产生

  半导体制造 硅片

  396浏览量

• 发布了文章 2025-09-22 11:04

  如何选择合适的半导体芯片清洗模块

  

  选择合适的半导体芯片清洗模块需要综合考虑工艺需求、设备性能、兼容性及成本效益等多方面因素。以下是关键决策点的详细分析：1.明确清洗目标与污染物类型污染物特性决定清洗策略：若主要去除颗粒物（如硅微粉、金属屑），优先选择物理作用强的超声波或兆声波模块；针对有机残留（光刻胶、树脂）、油污等，则需化学溶解能力强的喷淋系统配合溶剂（如丙酮、NMP）。对于金属离子污染，

  半导体芯片 超声波

  366浏览量

• 发布了文章 2025-09-17 11:01

  光刻胶剥离工艺

  

  光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤，其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点：湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理：使用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等强极性溶剂溶胀并溶解光刻胶分子链，适用于传统g线/i线正胶体系。例如，NMP因低蒸气压可加热至80℃以增强对交联型光刻胶的去除能力

  光刻胶 半导体制造 材料

  986浏览量

• 发布了文章 2025-09-17 10:55

  不同尺寸晶圆需要多少转速的甩干机？

  

  在半导体制造中，不同尺寸的晶圆对甩干机的转速需求存在差异，但通常遵循以下规律：小尺寸晶圆（如≤8英寸）这类晶圆由于质量较轻、结构相对简单，可采用较高的转速进行离心甩干。常见范围为3000–10000转/分钟（rpm）。高速旋转能快速剥离表面水分和残留液体，配合热氮气吹扫可进一步提升干燥效率。不过需注意避免因离心力过大导致边缘损伤或颗粒污染。大尺寸晶圆（如12

  晶圆 转速

  323浏览量

• 发布了文章 2025-09-16 13:42

  湿法去胶第一次去不干净会怎么样

  

  在半导体制造过程中，若湿法去胶第一次未能完全去除干净，可能引发一系列连锁反应，对后续工艺和产品质量造成显著影响。以下是具体后果及分析：残留物导致后续工艺缺陷薄膜沉积异常：未清除的光刻胶残留会作为异物存在于晶圆表面，影响后续沉积的薄膜（如金属层或介电层）的均匀性和附着力。这可能导致薄膜出现针孔、剥落等问题，降低器件性能。例如，残留的光刻胶区域可能阻碍溅射粒子的

  半导体制造 湿法 薄膜

  350浏览量

• 发布了文章 2025-09-16 13:37

  有哪些常见的晶圆清洗故障排除方法？

  

  以下是常见的晶圆清洗故障排除方法，涵盖从设备检查到工艺优化的全流程解决方案：一、清洗效果不佳（残留污染物或颗粒超标）1.确认污染物类型与来源视觉初判：使用高倍显微镜观察晶圆表面是否有异色斑点、雾状薄膜或散射光异常区域，初步区分有机物、无机盐还是金属残留。例如，油性光泽可能指向光刻胶残余，而白色结晶多为铵盐类无机物。仪器验证：借助FTIR光谱分析官能团特征峰识

  半导体 晶圆 清洗

  473浏览量

• 发布了文章 2025-09-15 13:28

  晶圆清洗后的干燥方式介绍

  

  晶圆清洗后的干燥是半导体制造过程中至关重要的环节，其核心目标是在不引入二次污染、不损伤表面的前提下实现快速且均匀的脱水。以下是几种主流的干燥技术及其原理、特点和应用场景的详细介绍：1.旋转甩干（SpinDrying）原理：通过高速旋转产生的离心力将液态水从晶圆表面甩离，同时结合热风辅助加速蒸发。典型转速可达数千转/分钟（RPM），配合温控系统防止过热变形。优

  半导体制造

  433浏览量

• 发布了文章 2025-09-15 13:26

  精密零件清洗的技术革新：破解残留颗粒难题的新路径

  

  精密零件清洗后仍存在残留颗粒是一个复杂问题，通常由多环节因素叠加导致。以下是系统性分析及潜在原因：1.清洗工艺设计缺陷参数设置不合理超声波频率过低无法有效剥离顽固附着的颗粒（如烧结形成的氧化物结块），或振幅不足导致空化效应弱化；反之，过高能量可能使微裂纹扩展并嵌入更深层的污染物。喷淋压力与角度不匹配造成“阴影区”，例如深孔内部因水流无法直射而形成清洗盲点，残

  清洗 零件

  230浏览量