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芯矽科技

专业湿法设备的制造商,为用户提供最专业的工艺解决方案

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动态

  • 发布了文章 2025-12-16 11:22

    晶圆去胶工艺之后要清洗干燥吗

    在半导体制造过程中,晶圆去胶工艺之后确实需要进行清洗和干燥步骤。以下是具体介绍:一、清洗的必要性去除残留物光刻胶碎片:尽管去胶工艺旨在完全去除光刻胶,但在实际操作中,可能会有一些微小的光刻胶颗粒残留在晶圆表面。这些残留的颗粒会影响后续的加工步骤。例如,在进行薄膜沉积时,残留颗粒可能会导致薄膜附着不良或产生缺陷,影响芯片的性能和可靠性。化学物质残留:去胶过程中
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  • 发布了文章 2025-12-16 11:05

    半导体晶圆去胶机自动控制系统核心介绍

    半导体晶圆去胶机自动控制系统是确保高效、精准去除光刻胶的关键,以下是其核心功能的介绍:高精度参数控制动态调节能力:通过PLC或DCS系统集成PID算法,实时监控温度(±0.5℃)、压力及药液浓度等关键指标。例如,在剥离槽中采用模糊逻辑控制器应对负载波动,结合流量计与电导率仪闭环调整SC-1溶液配比。多级梯度工艺适配:支持低温软化-高温分解双阶段切换,利用热对
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  • 发布了文章 2025-12-15 13:23

    SPM 溶液清洗:半导体制造的关键清洁工艺

    SPM(硫酸-过氧化氢混合液)清洗是半导体制造中关键的湿法清洗工艺,主要用于去除晶圆表面的有机物、光刻胶残留及金属污染。以下是SPM清洗的标准化步骤及技术要点:一、溶液配制配比与成分典型体积比:浓硫酸(H₂SO₄,98%):过氧化氢(H₂O₂,30%):去离子水(DIWater)=1:0.5:5。作用原理:硫酸提供强酸性和脱水性,过氧化氢分解产生羟基自由基(
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  • 发布了文章 2025-12-15 13:20

    SPM在工业清洗中的应用有哪些

    SPM(SulfuricPeroxideMixture,硫酸-过氧化氢混合液)作为一种高效强氧化性清洗剂,在工业清洗中应用广泛,以下是其主要应用场景及技术特点的综合分析:1.半导体制造中的核心应用光刻胶剥离SPM通过高温(120–150℃)下的强氧化反应,将光刻胶分解为可溶性小分子。例如,在5nm以下制程中,SPM结合超声波空化效应,可实现无残留剥离,同时避
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  • 发布了文章 2025-12-10 13:45

    衬底清洗全攻略:从湿法到干法,解锁半导体制造的“洁净密码”

    衬底清洗是半导体制造、LED外延生长等工艺中的关键步骤,其目的是去除衬底表面的污染物(如颗粒、有机物、金属离子、氧化层等),确保后续薄膜沉积或器件加工的质量。以下是常见的衬底清洗方法及适用场景:一、湿法化学清洗RCA标准清洗(硅片常用)SC-1(碱性清洗):NH₄OH+H₂O₂+H₂O混合液,用于去除有机污染物和颗粒。DHF(稀释氢氟酸):HF:H₂O=1:
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  • 发布了文章 2025-12-09 14:35

    湿法清洗机原理:化学溶解与物理作用的协同清洁机制

    湿法清洗机是半导体制造中用于清洁晶圆表面的关键设备,其核心原理是通过化学溶液与物理作用的协同效应去除污染物。以下是其工作原理的详细说明:一、化学溶解与反应机制酸碱中和/氧化还原:利用酸性(如HF)、碱性(如NH₄OH)或溶剂(如IPA)与污染物发生化学反应。例如:SC-1溶液(NH₄OH+H₂O₂+DIW=1:1:5~1:2:7):通过氧化分解有机物并增强颗
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  • 发布了文章 2025-12-09 10:15

    晶圆清洗后保存技术指南:干燥、包装与环境控制要点

    晶圆清洗后的保存需严格遵循环境控制、包装防护及管理规范,以确保晶圆表面洁净度与性能稳定性。结合行业实践与技术要求,具体建议如下:一、干燥处理与环境控制高效干燥工艺旋转甩干(SRD):通过高速旋转(3000–10,000rpm)离心脱水,配合加热氮气吹扫,实现无水痕干燥。氮气吹扫:使用高纯氮气(≥99.999%)定向吹拂,避免氧化污染,需搭配静电消除装置防止颗
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  • 发布了文章 2025-12-09 10:12

    晶圆清洗的工艺要点有哪些

    晶圆清洗是半导体制造中至关重要的环节,直接影响芯片良率和性能。其工艺要点可归纳为以下六个方面:一、污染物分类与针对性处理颗粒污染:硅粉、光刻胶残留等,需通过物理擦洗或兆声波空化效应剥离。有机污染:油脂、光刻胶聚合物,常用SPM(H₂SO₄+H₂O₂)高温氧化分解。金属离子污染:Fe、Cu等,采用SC-2(HCl+H₂O₂)络合溶解,或加入螯合剂增强去除。自然
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  • 发布了文章 2025-12-08 11:28

    研磨液供液系统工作原理

    研磨液供液系统是半导体制造中化学机械抛光(CMP)工艺的核心支持系统,其工作原理涉及流体力学、自动化控制及材料科学等多学科技术融合。以下是系统的工作流程与关键技术解析:一、核心组件与驱动方式动力驱动泵力系统:采用计量泵或离心泵输送研磨液,通过调节泵速控制流量。重力供液:在缓冲槽设计中应用,利用液位差实现稳定输出,减少脉动现象。气压辅助:向储液容器注入惰性气体
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  • 发布了文章 2025-12-08 11:24

    外延片氧化清洗流程介绍

    外延片氧化清洗流程是半导体制造中的关键环节,旨在去除表面污染物并为后续工艺(如氧化层生长)提供洁净基底。以下是基于行业实践和技术资料的流程解析:一、预处理阶段初步清洗目的:去除外延片表面的大颗粒尘埃、有机物及金属离子污染。方法:采用化学溶液(如SPM混合液)结合物理冲洗,通过高温增强化学反应效率,溶解并剥离表面残留的光刻胶等物质。二、核心清洗步骤有机溶剂处理
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